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1. (WO2015171680) CELLULES DRAM DE STOCKAGE DE DONNÉES VOLATILES ET NON VOLATILES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/171680 N° de la demande internationale : PCT/US2015/029348
Date de publication : 12.11.2015 Date de dépôt international : 06.05.2015
CIB :
G11C 14/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
14
Mémoires numériques caractérisées par des dispositions de cellules ayant des propriétés de mémoire volatile et non volatile pour sauvegarder l'information en cas de défaillance de l'alimentation
Déposants :
I AM BRILLIANT TECHNOLOGY CORPORATION [US/US]; 14C Shore Road Waterford, CT 06385, US
Inventeurs :
FONG, John, Yit; US
Mandataire :
ONOFRIO, Dara, Lynn; US
Données relatives à la priorité :
61/989,76607.05.2014US
61/992,74113.05.2014US
61/992,77313.05.2014US
61/994,25416.05.2014US
Titre (EN) DRAM CELLS STORING VOLATILE AND NONVOLATILE DATA
(FR) CELLULES DRAM DE STOCKAGE DE DONNÉES VOLATILES ET NON VOLATILES
Abrégé :
(EN) A memory circuitry comprising at least two plate potential lines, L, at least one dynamic random access memory (DRAM) cell, N, for simultaneously storing volatile and single and/or multi-bit non-volatile data wherein each DRAM cell comprises a capacitor for separating the data including a storage node electrode for storing the volatile data and a plate electrode, such that said plate electrode is selectively coupled to one of said L plate potential lines to encode and store said nonvolatile data.
(FR) L'invention concerne un circuit de mémoire comprenant au moins deux lignes potentielles de plaques, L, au moins une cellule de mémoire à accès aléatoire dynamique (DRAM), N, permettant le stockage simultané de données volatiles et uniques et /ou non volatiles multi-bits, chaque cellule DRAM comprenant un condensateur destiné à séparer les données incluant une électrode de nœud de stockage destinée à stocker les données volatiles et une électrode à plaque, de telle sorte que l'électrode à plaque est couplée de façon sélective à l'une desdites L lignes potentielles de plaques pour coder et stocker lesdites données non volatiles.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)