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1. (WO2015171572) ATTÉNUATION DU COURANT D'OBSCURITÉ À COMMANDE DE DIFFUSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/171572 N° de la demande internationale : PCT/US2015/029184
Date de publication : 12.11.2015 Date de dépôt international : 05.05.2015
CIB :
H01L 31/102 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102
caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
Déposants :
TRUSTEES OF BOSTON UNIVERSITY [US/US]; One Silber Way Boston, MA 02215, US
WICHMAN, Adam, R. [US/US]; US
BELLOTTI, Enrico [US/US]; US
PINKIE, Benjamin, James [US/US]; US
Inventeurs :
WICHMAN, Adam, R.; US
BELLOTTI, Enrico; US
PINKIE, Benjamin, James; US
Mandataire :
GAGNEBIN, Charles, L., III; US
Données relatives à la priorité :
61/988,47505.05.2014US
62/121,02426.02.2015US
Titre (EN) DARK CURRENT MITIGATION WITH DIFFUSION CONTROL
(FR) ATTÉNUATION DU COURANT D'OBSCURITÉ À COMMANDE DE DIFFUSION
Abrégé :
(EN) A photosensor device for reducing dark current is disclosed. The photosensor device includes a photon absorbing layer and two or more photosensor diffusions in said absorbing layer. The photosensor diffusions in the absorbing layer have edges of their diffusions separated in said absorbing layer by less than two minority carrier diffusion lengths. The photosensor device also includes in one embodiment one or more diffusion control junction diffusions in the absorbing layer and in proximity to the photosensor diffusions. In another embodiment the photosensor diffusions are selectively biased to operate as photosensor diodes or as diffusion impediments.
(FR) L'invention concerne un dispositif de photodétection permettant de réduire le courant d'obscurité. Le dispositif de photodétection comprend une couche d'absorption de photons et deux ou plusieurs diffusions de photodétecteur dans ladite couche d'absorption. Les diffusions de photodétecteur dans la couche d'absorption présentent des bords de diffusions séparés dans ladite couche d'absorption par moins de deux longueurs de diffusion des porteurs minoritaires. Selon un mode de réalisation, le photodétecteur comprend également une ou plusieurs diffusions de jonction de commande de diffusion dans la couche d'absorption et à proximité des diffusions du photodétecteur. Selon un autre mode de réalisation, les diffusions du photodétecteur sont sélectivement polarisées pour fonctionner comme des diodes de photodétecteur ou empêcher la diffusion.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
US20170077329