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1. (WO2015171244) DISPOSITIF MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL COMPORTANT DES CANAUX CONDUCTEURS EMPILÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/171244 N° de la demande internationale : PCT/US2015/024940
Date de publication : 12.11.2015 Date de dépôt international : 08.04.2015
CIB :
H01L 27/115 (2006.01) ,G11C 11/56 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
112
Structures de mémoires mortes
115
Mémoires mortes programmables électriquement
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
56
utilisant des éléments d'emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence
Déposants :
SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 Dallas Parkway Suite 325 Plano, Texas 75024, US
Inventeurs :
D'ABREU, Manuel Antonio; US
Mandataire :
TOLER, Jeffrey G.; US
Données relatives à la priorité :
14/272,36307.05.2014US
Titre (EN) THREE DIMENSIONAL MEMORY DEVICE HAVING STACKED CONDUCTIVE CHANNELS
(FR) DISPOSITIF MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL COMPORTANT DES CANAUX CONDUCTEURS EMPILÉS
Abrégé :
(EN) A method includes forming a first group of memory cells coupled to a first conductive channel. The first conductive channel is substantially perpendicular relative to a surface of a substrate. The method further includes forming a second group of memory cells coupled to a second conductive channel. The second conductive channel is electrically coupled to the first conductive channel and is substantially perpendicular relative to the surface of the substrate.
(FR) L'invention concerne un procédé qui consiste à former un premier groupe de cellules de mémoire couplées à un premier canal conducteur. Le premier canal conducteur est sensiblement perpendiculaire par rapport à une surface d'un substrat. Le procédé consiste en outre à former un second groupe de cellules de mémoire couplées à un second canal conducteur. Le second canal conducteur est électriquement couplé au premier canal conducteur et est sensiblement perpendiculaire par rapport à la surface du substrat.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
CN106256005