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1. (WO2015171125) MODULATEURS OPTIQUES À GAINE POLYMÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/171125 N° de la demande internationale : PCT/US2014/037063
Date de publication : 12.11.2015 Date de dépôt international : 07.05.2014
CIB :
H01L 31/10 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
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dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
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caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
Déposants :
HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP [US/US]; 11445 Compaq Center Drive West Houston, TX 77070, US
Inventeurs :
HUANG, Zhihong; US
LIANG, Di; US
PENG, Zhen; US
BEAUSOLEIL, Raymond G.; US
Mandataire :
COLLINS, David W.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) POLYMER-CLAD OPTICAL MODULATORS
(FR) MODULATEURS OPTIQUES À GAINE POLYMÈRE
Abrégé :
(EN) A polymer-clad optical modulator includes a substrate comprising an insulating material; a silicon microring on the substrate; silicon waveguides on the substrate adjacent the silicon microring; an electro-optic polymer covering the silicon microring and the silicon waveguide; and an electrical contact on top of the electro-optic polymer. The silicon microring or a portion of an adjacent silicon layer is lightly doped. A polymer-clad depletion type optical modulator and a polymer-clad carrier injection type optical modulator, each employing the lightly doped silicon microring or an adjacent lightly doped silicon layer, are also described.
(FR) L'invention concerne un modulateur optique à gaine polymère comprenant un substrat comprenant un matériau isolant; un micro-anneau de silicium sur le substrat; des guides d'ondes en silicium sur le substrat adjacent au micro-anneau de silicium; un polymère électro-optique recouvrant le micro-anneau en silicium et le guide d'ondes de silicium; et un contact électrique sur la partie supérieure du polymère électro-optique. Le micro-anneau en silicium ou une partie d'une couche de silicium adjacente est légèrement dopé. L'invention concerne également un modulateur optique à gaine polymère de type à appauvrissement et un modulateur optique à gaine polymère de type à injection de porteurs, qui utilisent chacun le micro-anneau en silicium faiblement dopé ou une couche de silicium adjacente faiblement dopée.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
US20170045762