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1. (WO2015170958) PROCÉDÉ SANS GRAVURE POUR FORMATION D'ÉLECTRODE CONDUCTRICE
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N° de publication : WO/2015/170958 N° de la demande internationale : PCT/MY2015/000026
Date de publication : 12.11.2015 Date de dépôt international : 29.04.2015
CIB :
H01L 21/027 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
MIMOS BERHAD [MY/MY]; Technology Park Malaysia 57000 Kuala Lumpur, MY
Inventeurs :
LEE, Hing Wah; MY
BIEN, Daniel Chia Sheng; MY
ABD WAHID, Khairul Anuar; MY
ATAN@MOHAM, Khairom Nizam; MY
ZAKARIA, Anifah; MY
Mandataire :
CHEW, Kherk Ying; Wong & Partners Level 21, The Gardens South Tower Mid Valley City Lingkaran Syed Putra 59200 Kuala Lumpur, MY
Données relatives à la priorité :
PI 201470116907.05.2014MY
Titre (EN) AN ETCH-FREE METHOD FOR CONDUCTIVE ELECTRODE FORMATION
(FR) PROCÉDÉ SANS GRAVURE POUR FORMATION D'ÉLECTRODE CONDUCTRICE
Abrégé :
(EN) The present invention provides an etch-free method for conductive electrode formation. The method comprises depositing an insulating layer (104) on a substrate (102), spin coating a first polymer layer (106) on the substrate (102), patterning the first polymer layer (106) by photo-lithography and depositing a conductive metal layer by physical deposition to form a top metallic layer (108) and a bottom metallic layer (110).
(FR) La présente invention concerne un procédé sans gravure pour formation d'électrode conductrice. Ledit procédé consiste à déposer une couche isolante (104) sur un substrat (102), déposer par centrifugation une première couche de polymère (106) sur le substrat (102), structurer la première couche polymère (106) par photo-lithographie et déposer une couche de métal conducteur par dépôt physique pour former une couche métallique supérieure (108) et une couche métallique inférieure (110).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)