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1. (WO2015170738) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURE DE LIAISON DE FIL, STRUCTURE DE LIAISON DE FIL ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/170738 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/063293
Date de publication : 12.11.2015 Date de dépôt international : 08.05.2015
CIB :
H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 21/607 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
607
impliquant l'application de vibrations mécaniques, p.ex. vibrations ultrasonores
Déposants :
ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP
Inventeurs :
生駒 和也 IKOMA Kazuya; JP
Mandataire :
吉田 稔 YOSHIDA Minoru; JP
Données relatives à la priorité :
2014-09664308.05.2014JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING WIRE BONDING STRUCTURE, WIRE BONDING STRUCTURE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURE DE LIAISON DE FIL, STRUCTURE DE LIAISON DE FIL ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) ワイヤボンディング構造の製造方法、ワイヤボンディング構造、電子装置
Abrégé :
(EN) This method for manufacturing a wire bonding structure is provided with: a step for preparing a wire formed of Cu; and a step for bonding the wire to a first subject to be bonded to, said first subject being formed on an electronic element. Prior to the bonding step, the wire has an outer circumferential surface and a retracted surface. The retracted surface is a surface retracted to the center axis side of the wire from the outer circumferential surface. In the bonding step, ultrasonic vibration is applied to the wire in a state wherein the retracted surface is pressed to the first subject.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de liaison de fil, qui comprend les étapes suivantes : une étape de préparation d'un fil formé de Cu ; et une étape de liaison du fil à un premier sujet auquel il doit être lié, ledit premier sujet étant formé sur un élément électronique. Avant l'étape de liaison, le fil présente une surface circonférentielle externe et une surface rétractée. La surface rétractée est une surface rétractée vers le côté d'axe central du fil depuis la surface circonférentielle externe. Dans l'étape de liaison, une vibration ultrasonore est appliquée au fil, dans un état dans lequel la surface rétractée est pressée contre le premier sujet.
(JA)  本発明のワイヤボンディング構造の製造方法は、Cuよりなるワイヤを用意する工程と、前記ワイヤを、電子素子に形成された第1接合対象に接合する工程と、を備える。前記接合する工程の前には、前記ワイヤは、外周面および退避面を有している。前記退避面は、前記外周面から前記ワイヤの中心軸側に退避した面である。前記接合する工程においては、前記退避面を前記第1接合対象に対して押し付けた状態で、前記ワイヤに超音波振動を付加する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)
Also published as:
US20170062381JPWO2015170738