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1. (WO2015170698) DISPOSITIF RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE SEMICONDUCTEUR POUR LUMIÈRE ULTRAVIOLETTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/170698 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/063180
Date de publication : 12.11.2015 Date de dépôt international : 07.05.2015
CIB :
H01L 31/103 (2006.01) ,H01L 27/144 (2006.01) ,G01J 1/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102
caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
103
la barrière de potentiel étant du type PN à homojonction
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
J
MESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
1
Photométrie, p.ex. posemètres photographiques
02
Parties constitutives
Déposants :
国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-city, Miyagi 9808577, JP
Inventeurs :
須川 成利 SUGAWA, Shigetoshi; JP
黒田 理人 KURODA, Rihito; JP
Mandataire :
藤本 健司 FUJIMOTO, Kenji; JP
Données relatives à la priorité :
2014-09754709.05.2014JP
Titre (EN) SOLID-STATE LIGHT-RECEIVING DEVICE FOR ULTRAVIOLET LIGHT
(FR) DISPOSITIF RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE SEMICONDUCTEUR POUR LUMIÈRE ULTRAVIOLETTE
(JA) 紫外光用固体受光デバイス
Abrégé :
(EN) [Problem] To provide a solid-state light-receiving device for ultraviolet light which can measure the amount of irradiation with ultraviolet light harmful to the human body using a simplified structure and properly and accurately, which can be readily integrated with a sensor of a peripheral circuit, which is small, light-weight, and low-cost, and which is suitable for mobile or wearable purposes. [Solution] One solution is a solid-state light-receiving device for ultraviolet light which is provided with a first photodiode (1), a second photodiode (2), and a differential circuit which receives respective signals based on outputs from these photodiodes, wherein a position of the maximum concentration of a semiconductor impurity is provided in each of the photodiodes (1, 2) and in a semiconductor layer region formed on each photodiode, and an optically transparent layer having a different wavelength selectivity is provided on a light-receiving surface of each photodiode.
(FR) [Problème] Réaliser un dispositif récepteur de lumière semiconducteur pour lumière ultraviolette qui peut mesurer correctement et avec précision la quantité d'irradiation à la lumière ultraviolette nuisible pour le corps humain en utilisant une structure simplifiée, qui peut être facilement intégré avec un capteur d'un circuit périphérique, qui est petit, léger et peu coûteux, et qui est adapté à un usage mobile ou portable. [Solution] Une solution est un dispositif récepteur de lumière semiconducteur pour lumière ultraviolette qui est pourvu d'une première photodiode (1), d'une deuxième photodiode (2) et d'un circuit différentiel qui reçoit des signaux respectifs basés sur les sorties de ces photodiodes. Une position de la concentration maximale en une impureté de semiconducteur est prévue dans chacune des photodiodes (1, 2) et dans une région de couche en semiconducteur formée sur chaque photodiode, et une couche optiquement transparente ayant une sélectivité de longueur d'onde différente est réalisée sur une surface de réception de lumière de chaque photodiode.
(JA) 【課題】簡単な構造で人体に有害な紫外光の照射量を精度よく適正に測定でき、周辺回路のセンサとの一体作り込みも容易にでき、小型・軽量で低コストであり携帯(mobile)若しくは着用(wearable)に適した紫外光用固体受光デバイスを提供する。 【解決手段】解決手段の一つは、第1のフォトダイオード(1)と第2のフォトダイオード(2)、これらのフォトダイオードからの出力に基づく信号のそれぞれが入力される差動回路とを備え、上記フォトダイオード(1)、(2)内、及び各フォトダイオード上に設けた半導体層領域に、半導体不純物の最大濃度位置をそれぞれ設け、各フォトダイードの受光面上に波長選択性の異なる光透過層が設けてある。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)
Also published as:
CN106537613JPWO2015170698US20170207256KR1020170005456