Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
Une partie du contenu de cette demande n'est pas disponible pour le moment.
Si cette situation persiste, contactez-nous auObservations et contact
1. (WO2015170622) HÉTÉROPOLYMÈRE ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/170622 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/062587
Date de publication : 12.11.2015 Date de dépôt international : 24.04.2015
CIB :
C08G 61/12 (2006.01) ,H01G 9/20 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
G
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
61
Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant une liaison carbone-carbone dans la chaîne principale de la macromolécule
12
Composés macromoléculaires contenant d'autres atomes que le carbone dans la chaîne principale de la macromolécule
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
9
Condensateurs électrolytiques, redresseurs électrolytiques, détecteurs électrolytiques, dispositifs de commutation électrolytiques, dispositifs électrolytiques photosensibles ou sensibles à la température; Procédés pour leur fabrication
20
Dispositifs photosensibles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30
Emploi de matériaux spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
Déposants :
株式会社ダイセル DAICEL CORPORATION [JP/JP]; 大阪府大阪市北区大深町3番1号 3-1, Ofuka-cho, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300011, JP
国立大学法人東京工業大学 TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都目黒区大岡山2丁目12番1号 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 1528550, JP
Inventeurs :
冨田 育義 TOMITA Ikuyoshi; JP
松村 吉将 MATSUMURA Yoshimasa; JP
高瀬 一郎 TAKASE Ichiro; JP
福井 和寿 FUKUI Kazuhisa; JP
Mandataire :
鍬田 充生 KUWATA Mitsuo; JP
Données relatives à la priorité :
2014-09714708.05.2014JP
2014-21194116.10.2014JP
Titre (EN) ORGANIC HETEROPOLYMER AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) HÉTÉROPOLYMÈRE ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 有機ヘテロ高分子及びその製造方法
Abrégé :
(EN) This organic heteropolymer is useful in forming organic semiconductors and is a copolymeric heteropolymer that comprises a structural unit represented by formula (1) and a structural unit represented by formula (2). (In the formulas: M1 and M2 represent heteroatoms selected from mutually differing groups among the group 8 elements, the group 9 elements, the group 10 elements, the group 14 elements, the group 15 elements, and the group 16 elements on the periodic table; the atomic valence (v) of M1 and M2 is in the range 2-6; R1a and R1b each represent a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group and may be the same or different; R2a and R2b each represent a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, a monovalent or bivalent heteroatom selected from the group consisting of the group 16 elements and the group 11 elements on the periodic table, or a metal atom that has formed a complex with a ligand and may be the same or different; m1, m2, n1, and n2 each represent 0 or 1; circled Ar represents an aromatic ring; R3 represents a straight-chain or branched-chain alkyl group, a straight-chain or branched-chain alkoxy group, or a straight-chain or branched-chain alkylthio group; and p represents 0 or an integer in the range 1-3.)
(FR) L'hétéropolymère organique de la présente invention est utile dans la formation de semi-conducteurs organiques et est un hétéropolymère de copolymère qui comporte une unité structurelle représentée par la formule (1) et une unité structurale représentée par la formule (2). (Dans les formules : M1 et M2 représentent des hétéroatomes choisis dans des groupes différents l'un par rapport à l'autre parmi les éléments du groupe 8, les éléments du groupe 9, les éléments du groupe 10, les éléments du groupe 14, les éléments du groupe 15, et les éléments du groupe 16 du tableau périodique des éléments ; la valence atomique (v) de M1 et M2 est dans la plage allant de 2 à 6 ; R1a et R1b représentent chacun un atome d'halogène, un groupe alkyle, un groupe cycloalkyle, un groupe aryle, ou un groupe hétéroaryle et peuvent être identiques ou différents ; R2a et R2b représentent chacun un atome d'halogène, un groupe alkyle, un groupe cycloalkyle, un groupe aryle, un groupe hétéroaryle, un hétéroatome monovalent ou bivalent choisi dans le groupe constitué des éléments du groupe 16 et des éléments du groupe 11 du tableau périodique des éléments, ou un atome de métal qui a formé un complexe avec un ligand et qui peut être identique ou différent ; m1, m2, n1, et n2 représentent chacun 0 ou 1 ; Ar entouré représente un cycle aromatique ; R3 représente un groupe alkyle à chaîne linéaire ou à chaîne ramifiée, un groupe alcoxy à chaîne linéaire ou à chaîne ramifiée, ou un groupe alkylthio à chaîne linéaire ou à chaîne ramifiée ; et p représente 0 ou un nombre entier dans la plage allant de 1 à 3.)
(JA)  本発明の有機ヘテロ高分子は、有機半導体を形成するのに有用であり、かつ下記式(1)で表される構成単位と下記式(2)で表される構成単位とを有する共重合ヘテロ高分子体である。 (式中、M及びMは周期表8族元素、9族元素、10族元素、14族元素、15族元素及び16族元素のうち、互いに異なる族から選択されたヘテロ原子を示し、M及びMの原子価vは2~6価であり、R1a及びR1bは同一又は異なってハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を示し、R2a及びR2bは同一又は異なってハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、又は周期表16族元素及び11族元素から選択された一価又は二価のヘテロ原子、又は配位子と錯体を形成した金属原子を示し、m1、m2、n1及びn2はそれぞれ0又は1を示し、環Arは芳香族性環を示し、Rは直鎖状又は分岐鎖状アルキル基、直鎖状又は分岐鎖状アルコキシ基、直鎖状又は分岐鎖状アルキルチオ基を示し、pは0又は1~3の整数を示す。)
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)
Also published as:
DE112015002166US20170044310CN106459385JPWO2015170622KR1020170005457