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1. (WO2015170425) OSCILLATEUR TÉRAHERTZ À FRÉQUENCE VARIABLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/170425 N° de la demande internationale : PCT/JP2014/074158
Date de publication : 12.11.2015 Date de dépôt international : 05.09.2014
CIB :
H03B 7/08 (2006.01) ,H01L 21/329 (2006.01) ,H01L 29/88 (2006.01) ,H01L 29/93 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
B
PRODUCTION D'OSCILLATIONS, DIRECTEMENT OU PAR CHANGEMENT DE FRÉQUENCE, À L'AIDE DE CIRCUITS UTILISANT DES ÉLÉMENTS ACTIFS QUI FONCTIONNENT D'UNE MANIÈRE NON COMMUTATIVE; PRODUCTION DE BRUIT PAR DE TELS CIRCUITS
7
Production d'oscillations au moyen d'un élément actif ayant une résistance négative entre deux de ses électrodes
02
avec un élément déterminant la fréquence comportant des inductances et des capacités localisées
06
l'élément actif étant un dispositif à semi-conducteurs
08
l'élément actif étant une diode tunnel
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
328
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors
329
les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
88
Diodes à effet tunnel
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
92
Condensateurs avec barrière de potentiel ou barrière de surface
93
Diodes à capacité variable, p.ex. varactors
Déposants :
国立大学法人東京工業大学 TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都目黒区大岡山2-12-1 2-12-1, Ookayama, Meguro-Ku, Tokyo 1528550, JP
Inventeurs :
鈴木 左文 SUZUKI, Safumi; JP
北川 成一郎 KITAGAWA, Seiichiro; JP
浅田 雅洋 ASADA, Masahiro; JP
Mandataire :
安形 雄三 AGATA, Yuzo; 東京都港区赤坂2—5—7 NIKKEN赤坂ビル8F NIKKEN Akasaka Bldg. 8F, 2-5-7, Akasaka, Minato-Ku, Tokyo 1070052, JP
Données relatives à la priorité :
2014-09702908.05.2014JP
Titre (EN) FREQUENCY-VARIABLE TERAHERTZ OSCILLATOR AND METHOD FOR MAKING SAME
(FR) OSCILLATEUR TÉRAHERTZ À FRÉQUENCE VARIABLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 周波数可変テラへルツ発振器及びその製造方法
Abrégé :
(EN) [Problem] To provide a frequency-variable terahertz oscillator being small in size and continuously having a large frequency sweep width even at a room temperature. [Solution] A slot antenna is provided, and a resonant tunnel diode and a varactor diode are arranged in parallel to each other along the slot antenna. DC voltages are applied to the resonant tunnel diode and varactor diode, respectively, thereby enabling oscillation to occur in a terahertz frequency band.
(FR) Le problème à résoudre dans le cadre de l'invention consiste à fournir un oscillateur térahertz à fréquence variable qui est de petite taille et présente en continu une grande largeur de balayage de fréquence, même à température ambiante. La solution consiste en une antenne à fentes. Une diode tunnel résonante et une diode varactor sont agencées en parallèle l'une par rapport à l'autre le long de l'antenne à fentes. Des tensions continues sont appliquées à la diode tunnel résonante et à la diode varactor, respectivement, ce qui permet qu'une oscillation se produise dans une bande de fréquence térahertz.
(JA) [課題]小型で、室温においても連続的に大きな周波数掃引幅を持つ周波数可変テラヘルツ発振器を提供する。[解決手段]スロットアンテナが配置され、スロッ卜アンテナに沿って共嗚トンネルダイオード及びバラクタダイオードが並列に配設され、共鳴卜ンネルダイオード及びバラクタダイオードに別々に直流電圧を印加することによりテラヘルツ周波数帯で発振する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)
Also published as:
JPWO2015170425US20170155361KR1020170004965