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1. (WO2015143438) TRANSISTOR NPN BIPOLAIRE VERTICAL SEGMENTÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/143438    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/022030
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 23.03.2015
CIB :
H01L 29/73 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P. O. Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US).
TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED [JP/JP]; 24-1, Nishi-shinjuku 6-chome Shinjuku-ku, 160-8366 (JP) (JP only)
Inventeurs : EDWARDS, Henry, Litzmann; (US).
SALMAN, Akram, A.; (US).
MAHMUD, Md. Iqbal; (US)
Mandataire : DAVIS, Jr., Michael A.; (US)
Représentant
commun :
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED; Michael A. Davis, Jr. International Patent Manager P. O. Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
14/222,288 21.03.2014 US
Titre (EN) SEGMENTED NPN VERTICAL BIPOLAR TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR NPN BIPOLAIRE VERTICAL SEGMENTÉ
Abrégé : front page image
(EN)In described examples, a segmented bipolar transistor (100) includes a p-base in a semiconductor surface (106) including at least one p-base finger (140) having a base metal/silicide stack including a base metal line that contacts a silicide layer (159) on the semiconductor surface of the p-base finger (140). An n+ buried layer (126) is under the p-base. A collector includes an n+ sinker (115) extending from the semiconductor surface to the n+ buried layer (126) including a collector finger having a collector metal/silicide stack including a collector metal line that contacts a silicide layer on the semiconductor surface of the collector finger. An n+ emitter (150) has at least one emitter finger including an emitter metal/silicide stack that contacts the silicide layer (159) on the semiconductor surface of the emitter finger. The emitter metal/silicide stack and/or collector metal/silicide stack include segmentation with a gap (150c), which cuts a metal line and/or the silicide layer of the stack.
(FR)L'invention concerne, dans des exemples, un transistor bipolaire segmenté (100) qui comprend une base p dans une surface de semi-conducteur (106) comprenant au moins un doigt de base p (140) ayant un empilement de couches de métal/siliciure de base, comprenant une ligne métallique de base qui entre en contact avec une couche de siliciure (159) sur la surface du semi-conducteur du doigt de base p (140). Une couche enterrée n+ (126) se trouve sous la base p. Un collecteur comprend une platine n+ (115) qui s'étend depuis la surface du semi-conducteur jusqu'à la couche enterrée n+ (126) comprenant un doigt de collecteur ayant un empilement de couches de métal/siliciure de collecteur comprenant une ligne métallique de collecteur qui vient en contact avec une couche de siliciure sur la surface semi-conductrice du doigt de collecteur. Un émetteur n+ (150) comporte au moins un doigt d'émetteur comprenant un empilement de couches de métal/siliciure d'émetteur qui est en contact avec la couche de siliciure (159) sur la surface semi-conductrice du doigt d'émetteur. L'empilement de couches de métal/siliciure de l'émetteur et/ou l'empilement de couches de métal/siliciure du collecteur comprennent une segmentation ayant un espace (150c), qui coupe une ligne métallique et/ou la couche de siliciure de l'empilement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)