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1. (WO2015143056) PROCÉDÉ ET TECHNOLOGIE DE FABRICATION POUR COUCHES D’OXYDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/143056    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/021291
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 18.03.2015
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/18 (2006.01), C23F 1/24 (2006.01)
Déposants : SPECMAT, INC. [US/US]; 27390 Lusandra Circle North Olmsted, Ohio 44070 (US)
Inventeurs : FAUR, Horia M.; (US).
FAUR, Maria; (US)
Mandataire : CRIMALDI, Joseph J.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/954,740 18.03.2014 US
Titre (EN) PROCESS AND FABRICATION TECHNOLOGY FOR OXIDE LAYERS
(FR) PROCÉDÉ ET TECHNOLOGIE DE FABRICATION POUR COUCHES D’OXYDE
Abrégé : front page image
(EN)This disclosure relates to a Room Temperature Wet Chemical Growth (RTWCG) method and process of SiOX thin film coatings which can be grown on various substrates. The invention further relates to RTWCG method and process suited to grow thin films on the Si substrates used in the manufacture of silicon-based electronic and photonic (optoelectronic) device applications. The invention further relates to processes used to produce SiOX thin film layers for use as passivation layers, low reflectance layers, or high reflectance single layer coatings (SLARC) and selective emitters (SE).
(FR)La présente invention concerne un procédé et un processus de croissance chimique humide à température ambiante (RTWCG) de revêtements à films minces de SiOX qui peuvent être mis en croissance sur divers substrats. L’invention concerne en outre un procédé et un processus RTWCG adaptés pour faire croître des films minces sur les substrats Si utilisés dans la fabrication d’applications de dispositifs électroniques et photoniques (optoélectroniques) à base de silicium. L’invention concerne en outre des procédés utilisés pour produire des couches de films minces de SiOX destinées à être utilisées comme couches de passivation, couches de faible facteur de réflexion ou revêtements à couche unique (SLARC) de facteur de réflexion élevé et émetteurs sélectifs (SE).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)