WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015142942) RÉDUCTION DE SICL4 EN PRÉSENCE DE BCL3
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/142942    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/021088
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 17.03.2015
CIB :
B01D 3/34 (2006.01), C01B 33/035 (2006.01), C01B 35/06 (2006.01), C01B 35/18 (2006.01)
Déposants : MATHESON TRI-GAS, INC. [US/US]; 150 Allen Road Basking Ridge, NJ 07920 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : WAGG, Larry; (US).
RAYNOR, Mark, W.; (US).
TEMPEL, Daniel, J.; (US).
YAO, Junpin; (US).
SEYMOUR, Adam, J.; (US)
Mandataire : PETERSEN, Steven, C.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/954,599 18.03.2014 US
Titre (EN) REDUCTION OF SICI4 IN THE PRESENCE OF BC13
(FR) RÉDUCTION DE SICL4 EN PRÉSENCE DE BCL3
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates, in general, to the purification of boron trichloride (BCI3). More particularly, the invention relates to a process for minimizing silicon tetrachloride (SiCI4) formation in BCI3 production and/or the removal of S1CI4 in BCI3 product stream by preventing/minimizing the silicon source in the reaction chambers. In addition, a hydride material may be used to convert any SiCI4 present to S1H4 which is easier to remove. Lastly freeze separation would replace fractional distillation to remove SiCI4 from BCI3 that has been partially purified to remove light boilers.
(FR)La présente invention concerne, en général, la purification de trichlorure de bore (BCl3). Plus particulièrement, l'invention concerne un procédé visant à minimiser la formation de tétrachlorure de silicium (SiCl4) dans la production de BCl3 et/ou l'élimination de SiCl4 dans le flux de produit de BCl3 en prévenant/minimisant la source de silicium dans les chambres de réaction. En outre, un matériau hydrure peut être utilisé pour convertir tout SiCl4 présent en S1H4 qui est plus facile à éliminer. Enfin, une séparation par congélation remplacerait une distillation fractionnée pour supprimer le SiCl4 du BCl3 qui a été partiellement purifié afin d'éliminer les composés à bas point d'ébullition.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)