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1. (WO2015142916) CELLULE PHOTOSYNTHÉTIQUE ARTIFICIELLE MULTIJONCTION AYANT DES PHOTOTENSIONS AMÉLIORÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/142916    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/021059
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 17.03.2015
CIB :
C25B 1/00 (2006.01), H01L 51/42 (2006.01)
Déposants : HUSSAINI, Syed Mubeen Jawahar [IN/US]; (US).
MCFARLAND, Eric W. [US/US]; (US).
MOSKOVITS, Martin [US/US]; (US).
LEE, Joun [KR/US]; (US).
YOUNG, Tim [US/US]; (US)
Inventeurs : HUSSAINI, Syed Mubeen Jawahar; (US).
MCFARLAND, Eric W.; (US).
MOSKOVITS, Martin; (US).
LEE, Joun; (US).
YOUNG, Tim; (US)
Mandataire : GUYNN, John M.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/968,598 21.03.2014 US
14/659,243 16.03.2015 US
Titre (EN) MULTI-JUNCTION ARTIFICIAL PHOTOSYNTHETIC CELL WITH ENHANCED PHOTOVOLTAGES
(FR) CELLULE PHOTOSYNTHÉTIQUE ARTIFICIELLE MULTIJONCTION AYANT DES PHOTOTENSIONS AMÉLIORÉES
Abrégé : front page image
(EN)A multi-junction artificial photosynthetic unit includes an active element with a plurality of semiconducting layers, with metal layers deposited between the semiconductor layers appropriately forming Schottky barrier junctions or ohmic junctions with a surface of an adjacent semiconductor layer. The active element is formed within a protective structure formed of porous aluminum oxide. Successive layers of the active element can be formed within the protective structure, and additional layers and junctions can be added until desired photovoltages are achieved. A photoreactor for the production of fuels and chemicals driven by solar-powered redox reactions includes a bag reactor filled with a feedstock solution. A plurality of multi-junction photosynthetic units are placed in the feedstock solution to drive the redox reactions and produce the desired fuels and chemicals.
(FR)L'invention concerne une unité photosynthétique artificielle multijonction comprenant un élément actif doté d'une pluralité de couches semi-conductrices, comprenant des couches métalliques déposées entre les couches semi-conductrices formant de manière appropriée des jonctions de barrière de Schottky ou des jonctions ohmiques avec une surface d'une couche semi-conductrice adjacente. L'élément actif est formé à l'intérieur d'une structure de protection formée d'oxyde d'aluminium poreux. Des couches successives de l'élément actif peuvent être formées à l'intérieur de la structure de protection, et des couches et des jonctions supplémentaires peuvent être ajoutées jusqu'à ce que des phototensions souhaitées soient obtenues. Un photoréacteur pour la production de combustibles et de produits chimiques entraînés par des réactions d'oxydo-réduction à alimentation solaire comprend un réacteur du type sac rempli d'une solution de matière première. Une pluralité d'unités photosynthétiques multijonctions sont placées dans la solution de matière première pour entraîner les réactions d'oxydoréduction et produire les carburants et produits chimiques souhaités.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)