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1. (WO2015142847) CIRCUIT INTÉGRÉ DOTÉ DE TRANSISTORS FINFET NON ÉPITAXIÉS À SEUILS MULTIPLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/142847    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/020962
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 17.03.2015
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : TUFTS UNIVERSITY [US/US]; Ballou Hall Medford, Massachusetts 02155 (US)
Inventeurs : GAYNOR, Brad D.; (US).
HASSOUN, Soha; (US)
Mandataire : LICHAUCO, Faustino A.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/954,113 17.03.2014 US
Titre (EN) INTEGRATED CIRCUIT WITH MULTI-THRESHOLD BULK FINFETS
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ DOTÉ DE TRANSISTORS FINFET NON ÉPITAXIÉS À SEUILS MULTIPLES
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a FinFET having a fin that has a fin body includes selecting a desired electrical performance parameter, selecting a base dimension of the fin, identifying a combination of fin-body doping and fin-geometry that causes the FinFET to have the desired electrical performance parameter, doping the fin body according to the identified fin-body doping, and fabricating the fin according to the fin-geometry.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor FinFET ayant une ailette qui a un corps d'ailette, lequel procédé comprend la sélection d'un paramètre de performance électrique souhaité, la sélection d'une dimension de base de l'ailette, l'identification d'une combinaison de dopage de corps d'ailette et de géométrie d'ailette qui amène le transistor FinFET à avoir le paramètre de performance électrique souhaité, le dopage du corps d'ailette en fonction du dopage de corps d'ailette identifié, et la fabrication de l'ailette en fonction de la géométrie d'ailette.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)