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1. (WO2015142756) MODÈLE POUR LA PRÉDICTION DE PROFIL D’ENDUIT PHOTORÉSISTANT PRÉCISE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/142756    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/020810
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 16.03.2015
CIB :
H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive, Milpitas Milpitas, California 95035 (US)
Inventeurs : SMITH, Mark D.; (US).
BIAFORE, John J.; (US)
Mandataire : MCANDREWS, Kevin; (US)
Données relatives à la priorité :
61/954,592 17.03.2014 US
14/220,446 20.03.2014 US
Titre (EN) MODEL FOR ACCURATE PHOTORESIST PROFILE PREDICTION
(FR) MODÈLE POUR LA PRÉDICTION DE PROFIL D’ENDUIT PHOTORÉSISTANT PRÉCISE
Abrégé : front page image
(EN)A photoresist modelling system includes a mathematical model for a photolithography process. The mathematical model may be executable using a computer processor. The mathematical model may be used to model a photoresist as formed on a semiconductor wafer surface. A blocked polymer concentration gradient equation may be implemented into the mathematical model. The blocked polymer concentration gradient equation may describe an initial concentration gradient of a blocked polymer in the photoresist being modelled by the mathematical model.
(FR)L’invention concerne un système de modélisation d’enduit photorésistant qui inclut un modèle mathématique pour un processus de photolithographie. Le modèle mathématique peut être exécutable au moyen d’un processeur informatique. Le modèle mathématique peut être utilisé pour modéliser un enduit photorésistant tel qu’il est formé sur une surface de plaquette semi-conductrice. Une équation de gradient de concentration en polymère bloqué peut être implémentée dans le modèle mathématique. L’équation de gradient de concentration en polymère bloqué peut décrire un gradient de concentration initial d’un polymère bloqué dans l’enduit photorésistant qui est modélisé par le modèle mathématique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)