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1. (WO2015142614) CELLULES DE MÉMOIRE POSSÉDANT UN POLARISEUR À AUTO-ALIGNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/142614    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/020157
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 12.03.2015
CIB :
G11C 11/16 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, Idaho 83716-9632 (US)
Inventeurs : HARMS, Jonathan D.; (US).
CHEN, Wei; (US).
MURTHY, Sunil S.; (US)
Mandataire : HAGEN, Robert J.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/219,748 19.03.2014 US
Titre (EN) MEMORY CELLS HAVING A SELF-ALIGNING POLARIZER
(FR) CELLULES DE MÉMOIRE POSSÉDANT UN POLARISEUR À AUTO-ALIGNEMENT
Abrégé : front page image
(EN)Spin torque transfer memory cells and methods of forming the same are described herein. As an example, spin torque transfer memory cells may include a self-aligning polarizer, a pinned polarizer, a storage material formed between the self-aligning polarizer and the pinned polarizer, a first oxide material formed between the pinned polarizer and the storage material, and a second oxide material formed between the storage material and the self-aligning polarizer.
(FR)L'invention concerne des cellules de mémoire de transfert de couple de spin et leurs procédés de formation. À titre d'exemple, des cellules de mémoire à transfert de couple de spin peuvent comprendre un polariseur à auto-alignement, un polariseur bloqué, un matériau de stockage formé entre le polariseur à auto-alignement et le polariseur bloqué, un premier matériau d'oxyde formé entre le polariseur bloqué et le matériau de stockage, et un second matériau d'oxyde formé entre le matériau de stockage et le polariseur à auto-alignement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)