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1. (WO2015142554) CELLULES SOLAIRES À CONTACT ARRIÈRE AVANCÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/142554    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/019455
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 09.03.2015
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/04 (2014.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, Massachusetts 01930 (US)
Inventeurs : JEON, Min-Sung; (KR).
KOO, Bon-Woong; (US)
Mandataire : FRAME, Robert, C.; NIELDS, LEMACK & FRAME, LLC 176 E. Main Street Suite 5 Westboro, Massachusetts 01581 (US)
Données relatives à la priorité :
14/220,560 20.03.2014 US
Titre (EN) ADVANCED BACK CONTACT SOLAR CELLS
(FR) CELLULES SOLAIRES À CONTACT ARRIÈRE AVANCÉES
Abrégé : front page image
(EN)An improved method of manufacturing a back contact solar cell is disclosed. The method is particularly beneficial to the creation of interdigitated back contact (IBC) solar cells. A mask paste is applied to the tunnel oxide layer. Silicon is deposited on the tunnel oxide layer. The placement of the mask paste causes discrete regions of deposited silicon to be created. Using a shadow mask, dopant is implanted into one or more of these discrete and separate regions. After the implanting of dopant, metal is sputtered onto the deposited silicon to create electrodes. Following the deposition of the metal layer, the mask paste is removed, such as using a wet etch process. The resulting solar cell has discrete doped regions each with a corresponding electrode applied thereon. These discrete doped regions are separated by a gap, which extends to the tunnel oxide layer.
(FR)L'invention porte sur un procédé amélioré de fabrication d'une cellule solaire à contact arrière. Le procédé est particulièrement avantageux pour la création de cellules solaires à contacts arrières interdigités (IBC). Une pâte de masque est appliquée sur la couche d'oxyde à effet tunnel. Du silicium est déposé sur la couche d'oxyde à effet tunnel. Le placement de la pâte de masque amène des régions discrètes de silicium déposé à être créées. À l'aide d'un masque perforé, un dopant est implanté dans une ou plusieurs de ces régions discrètes et séparées. Après l'implantation de dopant, un métal est pulvérisé sur le silicium déposé pour créer des électrodes. Après le dépôt de la couche métallique, la pâte de masque est retirée, tel qu'en utilisant un procédé de gravure humide. La cellule solaire résultante possède des régions dopées discrètes, chacune avec une électrode correspondante appliquée sur celle-ci. Ces régions dopées discrètes sont séparées par un espace, qui s'étend vers la couche d'oxyde à effet tunnel.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)