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1. (WO2015142053) COMPOSÉ AMINÉ DE GERMANIUM ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE FILM MINCE L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/142053    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/002628
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 18.03.2015
CIB :
C07F 7/30 (2006.01), C07C 211/14 (2006.01), C23C 14/26 (2006.01)
Déposants : EUGENE TECHNOLOGY MATERIALS CO., LTD. [KR/KR]; 3-507, 304, Sinwon-ro Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 443-380 (KR)
Inventeurs : LEE, Geun Su; (KR).
LEE, Yun Yeong; (KR).
LEE, Yeong Min; (KR)
Mandataire : Y.P.LEE, MOCK & PARTNERS; 12F Daelim Acrotel, 13 Eonju-ro 30-gil Gangnam-gu, Seoul 135-971 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2014-0031828 18.03.2014 KR
Titre (EN) ORGANIC GERMANIUM AMINE COMPOUND AND METHOD FOR DEPOSITING THIN FILM USING SAME
(FR) COMPOSÉ AMINÉ DE GERMANIUM ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE FILM MINCE L'UTILISANT
(KO) 유기 게르마늄 아민 화합물 및 이를 이용한 박막 증착 방법
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are an organic germanium amine compound represented by chemical formula 1, recited in claim 1, and a film forming method using the compound as a precursor. When the compound according to the present invention is used as a precursor, a germanium oxide film, a germanium nitride film, a metal germanium oxide film, a metal germanium nitride film, or the like can be effectively formed by deposition.
(FR)L'invention concerne un composé aminé de germanium organique représenté par la formule chimique 1, défini dans la revendication 1, et un procédé de formation de film utilisant le composé comme précurseur. Lorsque le composé selon la présente invention est utilisé comme précurseur, un film d'oxyde de germanium, un film de nitrure de germanium, un film d'oxyde de germanium métallique, un film de nitrure de germanium métallique, ou similaire peut être formé efficacement par dépôt.
(KO)청구항 1 기재의 화학식 1로 표시되는 유기 게르마늄 아민 화합물 및 이 화합물을 전구체로서 이용하는 막 형성 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 상기 화합물을 전구체로서 사용하면 게르마늄 산화물막, 게르마늄 질화물막, 금속 게르마늄 산화물막, 또는 금속 게르마늄 질화물막 등을 효과적으로 증착 형성할 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)