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1. (WO2015141956) COMPOSÉ PRÉCURSEUR, ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE COUCHE MINCE ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE COUCHE DE SILICIUM AMORPHE EN UTILISANT CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/141956    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/001935
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 27.02.2015
CIB :
C07C 211/44 (2006.01), C07C 239/02 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD. [KR/KR]; 42 Chugye-ro, Yangji-myeon Cheoin-gu, Yongin-si Gyeonggi-do 449-824 (KR)
Inventeurs : SHIN, Seung-Woo; (KR).
JUNG, Woo-Duck; (KR).
CHO, Sung-Kil; (KR).
CHOI, Ho-Min; (KR).
OH, Wan-Suk; (KR).
LEE, Koon-Woo; (KR).
LEE, Kang-Wook; (KR).
GWON, Hyuk-Lyong; (KR).
PARK, Seong-Jin; (KR).
KIM, Ki-Ho; (KR)
Mandataire : JEONG, Seong-Jin; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2014-0031754 18.03.2014 KR
Titre (EN) PRECURSOR COMPOUND, AND METHOD FOR DEPOSITING THIN FILM AND METHOD FOR DEPOSITING AMORPHOUS SILICON FILM BY USING SAME
(FR) COMPOSÉ PRÉCURSEUR, ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE COUCHE MINCE ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE COUCHE DE SILICIUM AMORPHE EN UTILISANT CELUI-CI
(KO) 전구체 화합물 및 이를 이용한 박막 증착 방법, 아모퍼스 실리콘막의 증착방법
Abrégé : front page image
(EN)A precursor compound, according to one embodiment of the present invention, is represented by R1(C6H5)NSiH3, wherein R1 is any one selected from a halide group, hydrogen, a C1-C4 alkyl group, a C4-C7 cyclic alkyl group, a phenyl group or a silyl group.
(FR)Un composé précurseur, selon l’un des modes de réalisation de la présente invention, est représenté par R1(C6H5)NSiH3, dans lequel R1 est l'un quelconque des membres du groupe constitué par un groupement halogénure, un atome d'hydrogène, un groupement alkyle en C1-C4, un groupement alkyle cyclique en C4-C7, un groupement phényle ou un groupement silyle.
(KO)본 발명의 일 실시예에 의한 전구체 화합물은 R1(C6H5)NSiH3으로 표현되며, R1은 할라이드기, 수소, 탄소수가 1 내지 4 중 어느 하나인 알킬기, 탄소수가 4 내지 7 중 어느 하나인 싸이클릭 알킬기, 페닐기 또는 실릴기 중 선택된 어느 하나이다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)