WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015141794) SOUS-COUCHE POUR FILM MAGNÉTISÉ PERPENDICULAIREMENT, STRUCTURE DE FILM MAGNÉTISÉ PERPENDICULAIREMENT, ÉLÉMENT DE JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE PERPENDICULAIRE ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT MAGNÉTIQUE PERPENDICULAIRE UTILISANT CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/141794    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/058306
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 19.03.2015
CIB :
G11B 5/735 (2006.01), G11B 5/70 (2006.01), G11B 5/84 (2006.01)
Déposants : NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE [JP/JP]; 2-1, Sengen 1-chome, Tsukuba-shi, Ibaraki 3050047 (JP)
Inventeurs : SUKEGAWA Hiroaki; (JP).
WEN Zhenchao; (JP).
MITANI Seiji; (JP).
INOMATA Koichiro; (JP).
FURUBAYASHI Takao; (JP).
HADORN Jason Paul; (JP).
OHKUBO Tadakatsu; (JP).
HONO Kazuhiro; (JP).
KOO Jungwoo; (JP)
Mandataire : NISHIZAWA Toshio; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-058440 20.03.2014 JP
Titre (EN) UNDERCOATING FOR PERPENDICULARLY MAGNETIZED FILM, PERPENDICULARLY MAGNETIZED FILM STRUCTURE, PERPENDICULAR MTJ ELEMENT, AND PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM USING SAME
(FR) SOUS-COUCHE POUR FILM MAGNÉTISÉ PERPENDICULAIREMENT, STRUCTURE DE FILM MAGNÉTISÉ PERPENDICULAIREMENT, ÉLÉMENT DE JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE PERPENDICULAIRE ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT MAGNÉTIQUE PERPENDICULAIRE UTILISANT CELUI-CI
(JA) 垂直磁化膜用下地、垂直磁化膜構造、垂直MTJ素子及びこれらを用いた垂直磁気記録媒体
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a perpendicularly magnetized film structure employing a highly heat resistant undercoating film on which a cubic or tetragonal perpendicularly magnetized film can grow with high quality, said structure comprising: a cubic monocrystalline substrate (5) having a (001) plane direction, or a substrate (5) having a cubic alignment film that has grown with a (001) plane direction; an undercoating layer (6) made of a thin film of metal, such as Ru or Re, having an hcp structure and formed on said substrate (5), wherein the [0001] direction of the thin metal film forms an angle within a range from 42° to 54° with respect to the <001> direction or the (001) plane direction of the substrate (5); and a perpendicularly magnetized layer (7) located on the metal undercoating layer (6), and made of a cubic material that has grown with a (001) plane direction, the composition material of the cubic material being selected from the group consisting of Co-based Heusler alloys, bcc-structure cobalt-iron (CoFe) alloys, and the like.
(FR)La présente invention concerne une structure de film magnétisé perpendiculairement utilisant en sous-couche un film hautement résistant à la chaleur, sur lequel peut croître un film magnétisé perpendiculairement, cubique ou tétragonal, de qualité élevée, ladite structure comprenant : un substrat monocristallin cubique (5) présentant la direction du plan (001) ou un substrat (5) sur lequel a été développé un film d'alignement cubique dans la direction du plan (001) ; une sous-couche (6) composée d'un film mince de métal, tel que Ru ou Re, présentant une structure hcp (hexagonale compacte) et formé sur ledit substrat (5), la direction [0001] du film mince métallique formant un angle situé dans une plage allant de 42° à 54° par rapport à la direction <001> ou à la direction du plan (001) du substrat (5) ; et une couche (7) magnétisée perpendiculairement située sur la sous-couche métallique (6), et composée d'un matériau cubique qui s'est développé dans la direction du plan (001), le matériau de composition constituant le matériau cubique étant choisi dans le groupe constitué par des alliages Heusler à base de Co, des alliages de cobalt-fer (CoFe) à structure bcc (cubique centrée), et similaires.
(JA)立方晶系または正方晶系垂直磁化膜を高品質に成長可能であって耐熱性の高い下地膜を用いた垂直磁化膜構造として、(001)面方位の立方晶系単結晶の基板、または(001)面方位をもって成長した立方晶系配向膜を有する基板の一方(5)と、基板5に形成されたhcp構造のRu、Re等の金属の薄膜であって、基板5の<001>方位又は(001)面方位に対して、[0001]方位が42°~54°の範囲の角度をなす前記金属の薄膜からなる下地層(6)と、金属下地層6の上に位置すると共に、組成材料としてCo基ホイスラー合金、bcc構造のコバルト-鉄(CoFe)合金等からなる群より選ばれた(001)面方位をもって成長した立方晶材料よりなる垂直磁化層(7)とを有する構造とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)