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1. (WO2015141521) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/141521    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/056976
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 10.03.2015
CIB :
H01L 21/31 (2006.01), C23C 16/505 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980 (JP)
Inventeurs : SATO, Takayuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-059307 21.03.2014 JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND RECORDING MEDIUM
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] The present invention addresses the problem of improving in-plane uniformity of a substrate in substrate processing using plasma. [Solution] Provided is a configuration that is provided with: a plasma generating section, in which a processing gas is brought into the plasma state; a processing chamber, in which the substrate is processed using the processing gas in the plasma state; a substrate supporting section that supports the substrate in the processing chamber; an electrode section, which is provided in the substrate supporting section, and which has a plurality of regions partitioned in the circumferential direction; and an impedance adjusting section that adjusts impedance of the electrode section by each of the regions partitioned in the circumferential direction.
(FR)La présente invention aborde le problème d'amélioration de l'uniformité dans le plan d'un substrat dans le traitement de substrat au moyen de plasma. La solution selon l'invention consiste en une configuration qui comporte : une section génératrice de plasma, dans laquelle un gaz de traitement est amené à l'état de plasma; une chambre de traitement, dans laquelle le substrat est traité au moyen du gaz de traitement à l'état de plasma; une section de support de substrat qui supporte le substrat dans la chambre de traitement; une section d'électrode, laquelle est installée dans la section de support de substrat, et qui comprend une pluralité de zones partitionnées dans la direction circonférentielle; et une section de réglage d'impédance qui règle l'impédance de la section d'électrode par chacune des zones partitionnées dans la direction circonférentielle.
(JA)課題:プラズマを用いた基板処理において、基板の面内均一性を向上させる。 解決手段: 処理ガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部と、プラズマ状態の処理ガスで基板を処理する処理室と、処理室内にて基板を支持する基板支持部と、基板支持部の内部に設けられ、周方向に区分けされた複数の領域を有する電極部と、周方向に区分けされた複数の領域のそれぞれの領域ごとに電極部のインピーダンスを調整するインピーダンス調整部と、を備える構成を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)