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1. (WO2015141443) CELLULE SOLAIRE À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/141443    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/055823
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 27.02.2015
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0693 (2012.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP)
Inventeurs : WASHIO, Hidetoshi;
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-055134 18.03.2014 JP
Titre (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
(JA) 化合物半導体太陽電池セルおよび化合物半導体太陽電池セルの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This compound semiconductor soar cell is provided with a cell main body (21) that has at least one PN junction and an electrode (13b) that is formed on a main surface of the cell main body (21). When the main surface of the cell main body (21) is viewed in plan, the electrode (13b) is arranged in a position where the electrode does not overlap any one of pinholes (31) that are formed in the main surface of the cell main body (21).
(FR)L'invention porte sur une cellule solaire à semi-conducteur composé qui comporte un corps principal de cellule (21) qui a au moins une jonction PN et une électrode (13b) qui est formée sur une surface principale du corps principal de cellule (21). Lorsque la surface principale du corps principal de cellule (21) est vue en plan, l'électrode (13b) est agencée dans une position où l'électrode ne chevauche pas l'un quelconque de trous d'épingle (31) qui sont formés dans la surface principale du corps principal de cellule (21).
(JA) 化合物半導体太陽電池セルは、少なくとも1つのPN接合を有するセル本体(21)と、セル本体(21)の主面上に形成された電極(13b)とを備えている。セル本体(21)の主面の平面視において、電極(13b)は、セル本体(21)の主面に形成されているすべてのピンホール(31)と重複しない位置に配置されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)