WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015141344) CARTE DE CONNEXION CÉRAMIQUE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/141344    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/053993
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 13.02.2015
CIB :
H01L 23/13 (2006.01), H05K 1/09 (2006.01), H05K 1/11 (2006.01)
Déposants : A.L.M.T. CORP. [JP/JP]; 11-11, Shiba 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050014 (JP)
Inventeurs : HIROSE, Yoshiyuki; (JP).
SUGITANI, Sachie; (JP).
GOMA, Norihito; (JP).
TOYOSHIMA, Gouhei; (JP).
UENISHI, Noboru; (JP)
Mandataire : INAOKA, Kosaku; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-056760 19.03.2014 JP
Titre (EN) CERAMIC WIRING BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) CARTE DE CONNEXION CÉRAMIQUE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) セラミック配線基板および半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a ceramic wiring board having a high degree of reliability with low susceptibility to cracking due to heat load and temperature cycles and peeling of a metalization layer and a solder layer, and to provide a semiconductor device. [Solution] In the present invention, a ceramic wiring board is obtained by filling an up/down conduction hole formed through a ceramic board in the direction of thickness thereof with an up/down conductor comprising a composite material containing at least one low resistance metal selected from the group consisting of Cu, Ag, and Au, and at least one high melting point metal selected from the group consisting of W and Mo, the residual stress being 100 MPa or less. In a semiconductor device of the present invention, a semiconductor element is installed on the ceramic wiring board.
(FR)Le but de l'invention est de fournir une carte de connexion céramique ayant un degré élevé de fiabilité avec une faible tendance à la fissuration causée par une charge thermique et des cycles de température et au pelage d'une couche de métallisation et d'une couche de soudure, et de fournir un dispositif semi-conducteur. Selon la présente invention, une carte de connexion céramique est obtenue par remplissage d'un trou de conduction vers le haut/vers le bas formé à travers une carte en céramique dans sa direction d'épaisseur avec un conducteur vers le haut/vers le bas comprenant un matériau composite contenant au moins un métal à faible résistance sélectionné parmi le groupe consistant en Cu, Ag et Au, et au moins un métal à point de fusion élevé sélectionné par le groupe consistant en W et Mo, la contrainte résiduelle étant de 100 MPa ou moins. Dans un dispositif semi-conducteur selon la présente invention, un élément semi-conducteur est installé sur la carte de connexion céramique.
(JA)【課題】熱負荷や温度サイクルによってクラックを生じたり、メタライズ層や半田層が剥離したりしにくく信頼性の高いセラミック配線基板、および半導体装置を提供する。 【解決手段】セラミック配線基板は、セラミック製の基板の厚み方向を貫通させて形成した上下導通孔に、Cu、Ag、およびAuからなる群より選ばれた少なくとも1種の低抵抗金属と、W、およびMoからなる群より選ばれた少なくとも1種の高融点金属とを含む複合材料からなる上下導通体を充填してなり、残留応力を100MPa以下とした。半導体装置は、当該セラミック配線基板に半導体素子を搭載した。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)