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1. (WO2015141338) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/141338    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/053801
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 12.02.2015
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0747 (2012.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : OKAMOTO, Chikao; .
KIMOTO, Kenji; .
KUNIYOSHI, Tokuaki; .
SAKAI, Toshihiko; .
TSUNEMI, Takeshi;
Données relatives à la priorité :
2014-055130 18.03.2014 JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a photoelectric conversion element and a manufacturing method therefor that make it possible to improve characteristics thereof and the reliability thereof. Said photoelectric conversion element is provided with a first i-type semiconductor film (2) and a first-conductivity-type semiconductor film (3) on part of the surface of a semiconductor substrate (1) and is provided with a second i-type semiconductor film (4) and a second-conductivity-type semiconductor film (5) on another part of the surface of the semiconductor substrate. An electrode (11) for the first conductivity type is provided on top of the first-conductivity-type semiconductor film (3), and an electrode (12) for the second conductivity type is provided on top of the second-conductivity-type semiconductor film (5). One end of the second i-type semiconductor film (4) is positioned above one end of the first-conductivity-type semiconductor film (3), and an intervening layer (8) is provided between said end of the first-conductivity-type semiconductor film (3) and said end of the second i-type semiconductor film (4).
(FR)La présente invention porte sur un élément de conversion photoélectrique et sur son procédé de fabrication qui rendent possible le fait d'améliorer les caractéristiques de ce dernier et la fiabilité de ce dernier. Ledit élément de conversion photoélectrique comporte un premier film de semi-conducteur de type i (2) et un film de semi-conducteur d'un premier type de conductivité (3) sur une partie de la surface d'un substrat de semi-conducteur (1) et comporte un second film de semi-conducteur de type i (4) et un film de semi-conducteur d'un second type de conductivité (5) sur une autre partie de la surface du substrat de semi-conducteur. Une électrode (11) pour le premier type de conductivité est disposée sur la partie supérieure du film de semi-conducteur du premier type de conductivité (3), et une électrode (12) pour le second type de conductivité est disposée sur la partie supérieure du film de semi-conducteur du second type de conductivité (5). Une extrémité du second film de semi-conducteur de type i (4) est positionnée au-dessus d'une extrémité du film de semi-conducteur du premier type de conductivité (3), et une couche intermédiaire (8) est disposée entre ladite extrémité du film de semi-conducteur du premier type de conductivité (3) et ladite extrémité du second film de semi-conducteur de type i (4).
(JA)特性および信頼性を向上させることが可能な光電変換素子および光電変換素子の製造方法を提供する。光電変換素子は、半導体基板1の一方の表面の一部に第1のi型半導体膜2と第1導電型半導体膜3とを備え、半導体基板の表面の他の一部に第2のi型半導体膜4と第2導電型半導体膜5とを備えている。第1導電型半導体膜3上には第1導電型用電極層11が設けられており、第2導電型半導体膜5上には第2導電型用電極層12が設けられている。第1導電型半導体膜3の一端上に第2のi型半導体膜4の一端が位置している。第1導電型半導体膜3の一端と第2のi型半導体膜4の一端との間に介在層8を備えている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)