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1. (WO2015141313) DISPOSITIF DE STOCKAGE NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/141313    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/053156
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 04.02.2015
CIB :
H01L 21/8246 (2006.01), H01F 10/14 (2006.01), H01F 10/16 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP)
Inventeurs : SAIDA, Daisuke; (JP).
SHIMOMURA, Naoharu; (JP)
Mandataire : HYUGAJI, Masahiko; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-058367 20.03.2014 JP
Titre (EN) NON-VOLATILE STORAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE NON VOLATILE
(JA) 不揮発性記憶装置
Abrégé : front page image
(EN)A non-volatile storage device containing a laminate and a control unit is provided. The laminate comprises a first ferromagnetic layer that has a fixed direction of magnetization, a second ferromagnetic layer, and a first non-magnetic layer. The second ferromagnetic layer has a first section that is laminated to the first ferromagnetic layer and has a variable direction of magnetization and a second section that is laminated to the first section and has a variable direction of magnetization. The magnetic-resonance frequency of the first section is different from that of the second section. The control unit sends a current through the laminate during a write period. The directions of magnetization of the first and second sections face directions corresponding to the orientation of the said current. The write period includes a first period and a second period. During the first period, the current is equal to a first value, and during the second period, the current is equal to a second value that is smaller than the first value. The length of the first period is 0.9 to 1.1 times the absolute value of an odd multiple of the reciprocal of the magnetic-resonance frequency of the second ferromagnetic layer as a whole.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de stockage non volatile contenant un stratifié et une unité de commande. Le stratifié comprend une première couche ferromagnétique qui a une direction fixe d'aimantation, une seconde couche ferromagnétique, et une première couche non magnétique. La seconde couche ferromagnétique a une première section qui est stratifiée sur la première couche ferromagnétique et possède une direction variable d'aimantation et une seconde section qui est stratifiée sur la première section et a une direction variable d'aimantation. La fréquence de résonance magnétique de la première section est différente de celle de la seconde section. L'unité de commande envoie un courant à travers le stratifié pendant une période d'écriture. Les directions d'aimantation des première et seconde sections font face à des directions correspondant à l'orientation dudit courant. La période d'écriture comprend une première période et une seconde période. Pendant la première période, le courant est égal à une première valeur, et pendant la seconde période, le courant est égal à une seconde valeur qui est plus petite que la première valeur. La longueur de la première période est de 0,9 à 1,1 fois la valeur absolue d'un multiple impair de l'inverse de la fréquence de résonance magnétique de la seconde couche ferromagnétique au global.
(JA) 積層体と制御部とを含む不揮発性記憶装置が提供される。積層体は、磁化の方向が固定された第1強磁性層と、第2強磁性層と、第1非磁性層とを含む。第2強磁性層は、第1強磁性層と積層され磁化の方向が可変の第1部分と、第1部分と積層され磁化の方向が可変の第2部分と、を含む。第1部分の磁気共鳴周波数は、第2部分の磁気共鳴周波数とは異なる。制御部は、書込期間において積層体に電流を流す。第1、2部分の磁化の方向は、電流の向きに応じた方向に向く。書込期間は、第1、2期間を含む。電流は、第1期間において第1値であり、第2期間において第1値よりも小さい第2値である。第1期間の長さは、第2強磁性層全体の磁気共鳴周波数の逆数の奇数倍の絶対値の0.9倍以上1.1倍以下である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)