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1. (WO2015141226) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/141226    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/001529
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 18.03.2015
CIB :
B32B 9/00 (2006.01), B05D 7/24 (2006.01), H01L 33/56 (2010.01), C09D 1/00 (2006.01)
Déposants : KURARAY CO., LTD. [JP/JP]; 1621, Sakazu, Kurashiki-shi, Okayama 7100801 (JP)
Inventeurs : SASAKI, Ryoichi; (JP).
INUBUSHI, Yasutaka; (JP).
NAKAYA, Masakazu; (JP).
TAKAI, Jun; (JP).
ARIMOTO, Kikuo; (JP).
OTA, Masahiko; (JP).
MORIHARA, Yasushi; (JP)
Mandataire : KAMADA, Koichi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-054968 18.03.2014 JP
2014-164639 13.08.2014 JP
2014-164643 13.08.2014 JP
Titre (EN) ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 電子デバイス
Abrégé : front page image
(EN)The present invention pertains to an electronic device obtained by covering a surface of an electronic device body (1) with a protective sheet, wherein: the protective sheet contains a multilayer structure including a substrate (X) and a layer (Y) layered on the substrate (X); the layer (Y) contains a metal oxide (A), a phosphorus compound (B), and positive ions (Z) having an ion valence (FZ) of 1 to 3, inclusive; the phosphorus compound (B) is a compound having a site which is reactable with the metal oxide (A); the mol number (NM) of the metal atoms (M) which make up the metal oxide (A) in the layer (Y) and the mol number (NP) of the phosphorus atoms present in the phosphorus compound (B) therein satisfy the relationship 0.8≤NM/NP≤4.5; and NM, the mol number (NZ) of the positive ions (Z), and FZ satisfy the relationship 0.001≤FZ×NZ/NM≤0.60.
(FR)La présente invention concerne un dispositif électronique obtenu par recouvrement d'une surface d'un corps de dispositif électronique (1) avec une feuille de protection, la feuille de protection contenant une structure multicouche comprenant un substrat (X) et une couche (Y) stratifiée sur le substrat (X) ; la couche (Y) contenant un oxyde métallique (A), un composé phosphoré (B) et des ions positifs (Z) ayant une valence ionique (FZ) de 1 à 3, inclus ; le composé phosphoré (B) étant un composé possédant un site pouvant réagir avec l'oxyde métallique (A) ; le nombre molaire (NM) des atomes de métal (M) qui constituent l'oxyde métallique (A) de la couche (Y) et le nombre molaire (NP) des atomes de phosphore présents dans le composé phosphoré (B) qui le compose satisfont à la relation 0,8 ≤ NM/NP ≤ 4,5 ; et NM, le nombre molaire (NZ) des ions positifs (Z), et FZ satisfont à la relation 0,001 ≤ FZ×NZ/NM ≤ 0,60.
(JA) 本発明は、電子デバイス本体1の表面を保護シートで被覆された電子デバイスであって、保護シートは基材(X)と、基材(X)上に積層された層(Y)とを含む多層構造体を含み、層(Y)は、金属酸化物(A)とリン化合物(B)とイオン価(F)が1以上3以下である陽イオン(Z)とを含有し、リン化合物(B)は、金属酸化物(A)と反応可能な部位を含有する化合物であり、層(Y)において、金属酸化物(A)を構成する金属原子(M)のモル数(N)と、リン化合物(B)に由来するリン原子のモル数(N)とが、0.8≦N/N≦4.5の関係を満たし、かつ、Nと陽イオン(Z)のモル数(N)と、Fとが、0.001≦F×N/N≦0.60の関係を満たす電子デバイスに関する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)