WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015140806) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP VERTICAL COMPORTANT UNE GRILLE DISCOÏDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/140806    N° de la demande internationale :    PCT/IL2015/050292
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 19.03.2015
CIB :
H01L 29/732 (2006.01)
Déposants : SKOKIE SWIFT CORPORATION [US/US]; 8605 Cameron Street Ste. 500 Silver Spring, Maryland 20910 (US).
EINAV, Moshe [IL/IL]; (IL)
Inventeurs : EINAV, Moshe; (IL)
Mandataire : KORAKH, Eliav; Korakh & Co. Advocates & Patent Attorneys P.O.B. 58100 6158002 Tel Aviv (IL)
Données relatives à la priorité :
61/955,803 20.03.2014 US
Titre (EN) VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING A DISC SHAPED GATE
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP VERTICAL COMPORTANT UNE GRILLE DISCOÏDE
Abrégé : front page image
(EN)A vertical FET, including a source layer, a channel layer, a drain layer and a gate dielectric, the source layer being coupled with a source electrode, the channel layer being deposited on top of the source layer, the drain layer being deposited on top of the channel layer and being coupled with a drain electrode, the gate dielectric being conformally deposited within a cylindrical niche through the drain layer down to the channel layer, the gate dielectric being encircled by the drain layer, the gate dielectric being coupled with a gate electrode deposited within the cylindrical niche, when a threshold voltage Is applied to the gate electrode a channel is formed between the source layer and the drain layer, a length of the channel corresponding to a thickness of the channel layer and a width of the channel corresponding to a perimeter of the cylindrical niche.
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ vertical, comprenant une couche de source, une couche de canal, une couche de drain et un diélectrique de grille, la couche de source étant couplée à une électrode de source, la couche de canal étant déposée sur la partie supérieure de la couche de source, la couche de drain étant déposée sur la partie supérieure de la couche de canal et étant couplée à une électrode de drain, le diélectrique de grille étant déposé de façon conforme à l'intérieur d'une niche cylindrique traversant la couche de drain et descendant jusqu'à la couche de canal, le diélectrique de grille étant encerclé par la couche de drain, le diélectrique de grille étant couplé à une électrode de grille déposée à l'intérieur de la niche cylindrique, et lorsqu'une tension de seuil est appliquée à l'électrode de grille, un canal est formé entre la couche de source et la couche de drain, la longueur du canal correspondant à l'épaisseur de la couche de canal et la largeur du canal correspondant au périmètre de la niche cylindrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)