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1. (WO2015140731) PROCÉDÉ DE DÉPÔT BASÉ SUR UN MASQUE DE POCHOIR ET SON APPLICATION À LA FABRICATION D'ÉTIQUETTES COMPORTANT DES CODES TRAÇABLES MULTIFONCTIONNELS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/140731    N° de la demande internationale :    PCT/IB2015/051983
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 18.03.2015
CIB :
B65C 9/00 (2006.01), G09F 3/00 (2006.01), C23C 16/04 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), C23C 16/46 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01), B42D 25/29 (2014.01)
Déposants : 3D-OXIDES [FR/FR]; 70 rue Gustave Eiffel F-01630 Saint Genis Pouilly (FR)
Inventeurs : BENVENUTI, Giacomo; (FR).
WAGNER, Estelle; (FR).
SANDU, Cosmin; (FR)
Mandataire : WEIHS, Bruno; c/o André Roland Sàrl 121, avenue des Champs Elysées F-75008 Paris (FR)
Données relatives à la priorité :
PCT/IB2014/000802 18.03.2014 IB
Titre (EN) DEPOSITION PROCESS BASED ON STENCIL MASK AND APPLICATION TO THE FABRICATION OF TAGS SUPPORTING MULTI-FUNCTIONAL TRACEABLE CODES
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT BASÉ SUR UN MASQUE DE POCHOIR ET SON APPLICATION À LA FABRICATION D'ÉTIQUETTES COMPORTANT DES CODES TRAÇABLES MULTIFONCTIONNELS
Abrégé : front page image
(EN)A chemical gas phase deposition process comprises steps of providing a high vacuum chamber, and inside the high vacuum chamber: positioning a substrate surface; positioning a mask parallel to the substrate surface, whereby the mask comprises one or more openings; adjusting a gap of determined dimension between the substrate surface and the mask; and orienting a plurality of chemical precursor beams of at least one precursor species towards the mask with line of sight propagation, each of the plurality of chemical precursor beams being emitted from an independent punctual source, and molecules of the chemical precursor pass through the one or more mask openings to impinge onto the substrate surface for deposition thereon. At least a part of the chemical precursor molecules decompose on the substrate surface at a decomposition temperature. The process further comprises adjusting a temperature of the substrate surface greater or equal to the chemical precursor molecule decomposition temperature, thereby remaining greater than a mask temperature, and maintaining the mask temperature below the decomposition temperature, thereby causing a decomposition of the chemical precursor and a growth of a film on the substrate surface, but not on the mask; and heating the substrate surface using a heating device.
(FR)Un procédé de dépôt chimique en phase gazeuse comprend les étapes consistant à : préparer une chambre à vide poussé et, dans la chambre à vide poussé : positionner une surface de substrat; positionner un masque parallèle à la surface de substrat, le masque comprenant une ou plusieurs ouvertures; ajuster un espace ayant une dimension déterminée entre la surface de substrat et le masque; et orienter une pluralité de faisceaux de précurseur chimique d'au moins une espèce de précurseur vers le masque avec une propagation en visibilité directe. Chaque faisceau de la pluralité de faisceaux de précurseur chimique est émis à partir d'une source ponctuelle indépendante. Des molécules du précurseur chimique passent à travers lesdites une ou plusieurs ouvertures du masque afin de heurter la surface de substrat de manière à s'y déposer. Au moins une partie des molécules du précurseur chimique se décompose sur la surface de substrat à une température de décomposition. Le procédé comprend en outre les étapes consistant à : ajuster une température de la surface de substrat supérieure ou égale à la température de décomposition des molécules du précurseur chimique, ce qui reste supérieur à une température de masque; maintenir la température de masque inférieure à la température de décomposition, ce qui provoque une décomposition du précurseur chimique et une croissance d'un film sur la surface de substrat mais pas sur le masque; et chauffer la surface de substrat au moyen d'un dispositif de chauffage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)