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1. (WO2015139739) SEGMENTATION DE GAZ DE TRAITEMENT POUR PROCESSUS DE PULVÉRISATION RÉACTIVE STATIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/139739    N° de la demande internationale :    PCT/EP2014/055427
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 18.03.2014
CIB :
C23C 14/00 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/35 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01), H01J 37/34 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US).
KLÖPPEL, Andreas [DE/DE]; (DE) (US only).
HANIKA, Markus [DE/DE]; (DE) (US only).
ZENGEL, Claus [DE/DE]; (DE) (US only).
SCHEER, Evelyn [DE/DE]; (DE) (US only)
Inventeurs : KLÖPPEL, Andreas; (DE).
HANIKA, Markus; (DE).
ZENGEL, Claus; (DE).
SCHEER, Evelyn; (DE)
Mandataire : ZIMMERMANN & PARTNER; Josephspitalstr. 15 80331 München (DE)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PROCESS GAS SEGMENTATION FOR STATIC REACTIVE SPUTTER PROCESSES
(FR) SEGMENTATION DE GAZ DE TRAITEMENT POUR PROCESSUS DE PULVÉRISATION RÉACTIVE STATIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus for static deposition of material on a substrate is described. The apparatus includes a gas distribution system for providing one or more process gases, wherein the gas distribution system is configured for controlling the flow rate of at least one process gas of the one or more process gases independently for two or more positions along a substrate transport direction and a cathode array having three or more cathodes which are spaced apart along the substrate transport direction.
(FR)L'invention concerne un appareil destiné au dépôt statique d'un matériau sur un substrat. L'appareil comprend un système de distribution de gaz pour l'apport d'un ou plusieurs gaz de procédé, le système de distribution de gaz étant configuré pour réguler le débit d'au moins un gaz de procédé parmi le ou les gaz de procédés indépendamment en deux positions ou davantage le long d'une direction de transport du substrat et un réseau de cathodes comprenant trois ou cathodes ou davantage qui sont espacées le long de la direction de transport du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)