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1. (WO2015139464) STRUCTURE DE CONNEXION ET STRUCTURE DE CONNEXION D'ENTRÉE/DE SORTIE D'UN GÉNÉRATEUR DE MICRO-ONDES À SEMI-CONDUCTEUR POUR UN FOUR À MICRO-ONDES, ET FOUR À MICRO-ONDES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/139464    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/090741
Date de publication : 24.09.2015 Date de dépôt international : 10.11.2014
CIB :
F24C 7/02 (2006.01), H05B 6/64 (2006.01)
Déposants : GUANGDONG MIDEA KITCHEN APPLIANCES MANUFACTURING CO.,LTD. [CN/CN]; No.6 Yong An Road, Beijiao, Shunde District Foshan, Guangdong 528311 (CN).
MIDEA GROUP CO., LTD. [CN/CN]; B24F, Midea Headquarter Building No.6 Midea Avenue, Beijiao, Shunde District Foshan, Guangdong 528311 (CN)
Inventeurs : ZHANG, Feina; (CN).
TANG, Xiangwei; (CN).
DU, Xiantao; (CN)
Mandataire : YOULINK INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; SHANG, Zhifeng Room 506 Tower A, Technology Fortune Center No. 8 Xueqing Road, Haidian District Beijing 100192 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410105584.9 20.03.2014 CN
201420128429.4 20.03.2014 CN
201420128629.X 20.03.2014 CN
201420128662.2 20.03.2014 CN
Titre (EN) CONNECTION STRUCTURE AND INPUT/OUTPUT CONNECTION STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR MICROWAVE GENERATOR FOR MICROWAVE OVEN, AND MICROWAVE OVEN
(FR) STRUCTURE DE CONNEXION ET STRUCTURE DE CONNEXION D'ENTRÉE/DE SORTIE D'UN GÉNÉRATEUR DE MICRO-ONDES À SEMI-CONDUCTEUR POUR UN FOUR À MICRO-ONDES, ET FOUR À MICRO-ONDES
(ZH) 微波炉的半导体微波发生器连接结构、微波炉的半导体微波发生器输入输出连接结构和微波炉
Abrégé : front page image
(EN)A connection structure and input/output connection structure of a semiconductor microwave generator for a microwave oven, and microwave oven; the connection structure of the semiconductor microwave generator of the microwave oven comprises: a semiconductor microwave generator (10) and a microwave output device (20); a microwave signal output port (131) is provided on the front face or back face of the semiconductor microwave generator (10); the first end of the microwave output device (20) is connected to the microwave signal output port (131), and the second end communicates with the cooking cavity (50) of the microwave oven. The connection between the microwave output device (20) and the front face or back face of the semiconductor microwave generator (10) effectively reduces the maximum distance between the semiconductor microwave generator (10) and the cooking cavity (50), and reduces the size of the microwave oven providing a simple and convenient structural design and shape design of the microwave oven, thus effectively reducing manufacturing costs of the microwave oven.
(FR)L'invention porte sur une structure de connexion et sur une structure de connexion d'entrée/de sortie d'un générateur de micro-ondes à semi-conducteur pour un four à micro-ondes et sur un four à micro-ondes. La structure de connexion du générateur de micro-ondes à semi-conducteur du four à micro-ondes comprend un générateur de micro-ondes à semi-conducteur (10) et un dispositif de sortie de micro-ondes (20) ; un orifice de sortie de signaux micro-ondes (131) est formé sur la face avant ou la face arrière du générateur de micro-ondes à semi-conducteur (10) ; la première extrémité du dispositif de sortie de micro-ondes (20) est raccordée à l'orifice de sortie de signaux micro-ondes (131) et la seconde extrémité communique avec la cavité de cuisson (50) du four à micro-ondes. La connexion entre le dispositif de sortie de micro-ondes (20) et la face avant ou la face arrière du générateur de micro-ondes à semi-conducteur (10) réduit de façon efficace la distance maximale entre le générateur de micro-ondes à semi-conducteur (10) et la cavité de cuisson (50) et réduit la taille du four à micro-ondes grâce à une conception structurelle et à une conception de forme simples et pratiques du four à micro-ondes, ce qui permet de réduire de façon efficace les coûts de fabrication du four à micro-ondes.
(ZH)一种微波炉的半导体微波发生器连接结构、微波炉的半导体微波发生器输入输出连接结构和微波炉。其中,微波炉的半导体微波发生器连接结构包括:半导体微波发生器(10)和微波输出装置(20),半导体微波发生器(10)的正面或背面设置有微波信号输出口(131);微波输出装置(20)的第一端与微波信号输出口(131)相连接,第二端与微波炉的烹饪腔体(50)相连通。通过微波输出装置(20)与半导体微波发生器(10)的正面或背面相连接,有效地减小了半导体微波发生器(10)与烹饪腔体(50)之间的最大距离,从而有效地减小微波炉的体积,使得微波的结构设计和形状设计简单方便,进而有效地降低了微波炉的制造成本。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)