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1. (WO2015138635) FABRICATION DE DIODES ÉMETTRICES DE LUMIÈRE DE L’INFRAROUGE MOYEN, À ÉMISSION VERS L’AVANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/138635    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/020010
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 11.03.2015
CIB :
H01L 29/15 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), G02F 1/017 (2006.01)
Déposants : TERAHERTZ DEVICE CORPORATION [US/US]; 4525 S. Wasatch Blvd Suite 125 Salt Lake City, Utah 84124 (US)
Inventeurs : MILLER, Mark S.; (US)
Mandataire : TAYLOR, Paul; (US)
Données relatives à la priorité :
61/951,411 11.03.2014 US
Titre (EN) FRONT-SIDE EMITTING MID-INFRARED LIGHT EMITTING DIODE FABRICATION
(FR) FABRICATION DE DIODES ÉMETTRICES DE LUMIÈRE DE L’INFRAROUGE MOYEN, À ÉMISSION VERS L’AVANT
Abrégé : front page image
(EN)Methods for fabricating mid-infrared light emitting diodes (LEDs) based upon antimonide-arsenide semiconductor heterostructures and configured into front-side emitting high-brightness LED die and other LED die formats. The method for manufacturing a mid-infrared LED comprising: forming an electrical contact between a substrate and a first light emission stage using variable-period superlattices; forming first and subsequent light emission stages to have double heterostructure confinement configurations, with variable period semiconductor superlattices forming one or more charge injectors and minority carrier barriers; forming cascaded light emission stages by forming semi-metallic tunneling junctions between light emission stages using a junction between layers of GaSb and InAs, or closely related alloys, doped with Si on both sides of the junction; growing strain-balanced superlattices and heterostructures; forming an electrical contact between a topmost light emission stage and an InAs current-spreading and ohmic contact layer using variable-period superlattices; and growing a layer of GaSb.
(FR)L’invention concerne des procédés de fabrication de diodes émettrices de lumière (DEL) de l’infrarouge moyen, basées sur des hétérostructures semi-conductrices d’antimoniure-arséniure et configurées dans des formats de matrices de DEL à haute luminosité à émission vers l’avant et d’autres formats de matrice de DEL. Le procédé de fabrication d’une DEL de l’infrarouge moyen comprend les étapes consistant à : former un contact électrique entre un substrat et un premier étage émetteur de lumière à l’aide de super-réseaux à période variable ; former un premier étage émetteur de lumière et des étages suivants pour avoir des configurations de confinement à double hétérostructure, avec des super-réseaux de semi-conducteurs à période variable qui forment un ou plusieurs injecteurs de charge et des barrières à porteurs minoritaires ; former des étages émetteurs de lumière en cascade en formant des jonctions à effet tunnel semi-métalliques entre les étages émetteurs de lumière au moyen d’une jonction entre des couches de GaSb et d’InAs, ou des alliages proches de ceux-ci, dopés au Si des deux côtés de la jonction ; faire croître des hétérostructures et des super-réseaux à déformation compensée ; former un contact électrique entre un étage émetteur de lumière supérieur et une couche de contact InAs ohmique et à étalement de courant, au moyen de super-réseaux à période variable ; et faire croître une couche de GaSb.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)