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1. (WO2015138543) LIGNES DE MÉTALLISATION M1 DE HAUTEUR RÉDUITE POUR ROUTAGE SUR PUCE LOCAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/138543    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/019850
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 11.03.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.01.2016    
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/528 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : SONG, Stanley Seungchul; (US).
YEAP, Choh Fei; (US).
WANG, Zhongze; (US).
MOJUMDER, Niladri; (US).
BADAROGLU, Mustafa; (US)
Mandataire : OLDS, Mark E.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/206,360 12.03.2014 US
Titre (EN) REDUCED HEIGHT M1 METAL LINES FOR LOCAL ON-CHIP ROUTING
(FR) LIGNES DE MÉTALLISATION M1 DE HAUTEUR RÉDUITE POUR ROUTAGE SUR PUCE LOCAL
Abrégé : front page image
(EN)Systems and methods are directed to an integrated circuit comprising a reduced height M1 metal line formed of an exemplary material with lower mean free path than Copper, for local routing of on-chip circuit elements of the integrated circuit, wherein the height of the reduced height M1 metal line is lower than a minimum allowed or allowable height of a conventional M1 metal line formed of Copper. The exemplary materials for forming the reduced height M1 metal line include Tungsten (W), Molybdenum (Mo), and Ruthenium (Ru), wherein these exemplary materials also exhibit lower capacitance and lower RC delays than Copper, while providing high electromigration reliability.
(FR)L'invention concerne des systèmes et des procédés ayant trait à un circuit intégré comprenant une ligne métallique M1 de hauteur réduite faite d'un matériau illustratif ayant un libre parcours moyen inférieur à celui du cuivre, pour un routage local d'éléments de circuit sur puce du circuit intégré, la hauteur de la ligne métallique M1 de hauteur réduite étant inférieure à une hauteur autorisée ou admissible minimale d'une ligne métallique M1 classique faite de cuivre. Les exemples de matériaux pour la formation de la ligne de métallique M1 de hauteur réduite comprennent le tungstène (W), le molybdène (Mo) et le ruthénium (Ru), ces exemples de matériaux possédant également une plus faible capacité et de plus courts retards RC que le cuivre, tout en offrant une haute fiabilité d'électromigration.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)