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1. (WO2015138359) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ COMPRENANT DES COUCHES DE REDISTRIBUTION ÉPAISSIES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/138359    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/019538
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 09.03.2015
CIB :
H01L 23/538 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 21/56 (2006.01)
Déposants : DECA TECHNOLOGIES INC. [US/US]; 7855 South River Parkway Ste. 111 Tempe, AZ 85284 (US)
Inventeurs : SCANLAN, Christopher, M.; (US).
BISHOP, Craig; (US)
Mandataire : BOOTH, Kenneth, C.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/950,743 10.03.2014 US
14/642,531 09.03.2015 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD COMPRISING THICKENED REDISTRIBUTION LAYERS
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ COMPRENANT DES COUCHES DE REDISTRIBUTION ÉPAISSIES
Abrégé : front page image
(EN)A method of making a semiconductor package can comprise forming a plurality of thick redistribution layer (RDL) traces over active surfaces of a plurality of semiconductor die that are electrically connected to contact pads on the plurality of semiconductor die, singulating the plurality of semiconductor die comprising the plurality of thick RDL traces, mounting the singulated plurality of semiconductor die over a temporary carrier with the active surfaces of the plurality of semiconductor die oriented away from the temporary carrier, disposing encapsulant material over the active surfaces and at least four side surfaces of each of the plurality of semiconductor die, over the plurality of thick RDL traces, and over the temporary carrier, forming a via through the encapsulant material to expose at least one of the plurality of thickened RDL traces with respect to the encapsulant material, removing the temporary carrier, and singulating the plurality of semiconductor die.
(FR)L’invention concerne un procédé de fabrication d’un ensemble semi-conducteur qui peut consister à former une pluralité de traces de couches de redistribution (RDL) épaisses sur des surfaces actives d’une pluralité de puces semi-conductrices qui sont électriquement connectées à des pastilles de contact sur la pluralité de puces semi-conductrices, à séparer la pluralité de puces semi-conductrices comprenant la pluralité de traces de RDL épaisses, à monter la pluralité séparée de puces semi-conductrices sur un support temporaire avec les surfaces actives de la pluralité de puces semi-conductrices orientées en s’éloignant du support temporaire, à disposer un matériau encapsulant sur les surfaces actives et au moins quatre surfaces latérales de chaque puce de la pluralité de puces semi-conductrices, sur la pluralité de traces de RDL épaisses, et sur le support temporaire, à former une interconnexion à travers le matériau encapsulant pour découvrir au moins une trace de la pluralité de traces de RDL épaissies par rapport au matériau encapsulant, à retirer le support temporaire, et à séparer la pluralité de puces semi-conductrices.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)