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1. (WO2015138301) COMPOSITION POUR LE POLISSAGE CHIMICO-MÉCANIQUE (CMP) DU TUNGSTÈNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/138301    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/019412
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 09.03.2015
CIB :
C09K 3/14 (2006.01)
Déposants : CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION [US/US]; 870 North Commons Drive Aurora, Illinois 60504 (US)
Inventeurs : GRUMBINE, Steven; (US).
DYSARD, Jeffrey; (US).
FU, Lin; (US).
WARD, William; (US).
WHITENER, Glenn; (US)
Mandataire : OMHOLT, Thomas; (US)
Données relatives à la priorité :
14/203,647 11.03.2014 US
Titre (EN) COMPOSITION FOR TUNGSTEN CMP
(FR) COMPOSITION POUR LE POLISSAGE CHIMICO-MÉCANIQUE (CMP) DU TUNGSTÈNE
Abrégé : front page image
(EN)A chemical mechanical polishing composition for polishing a substrate having a tungsten layer includes a water based liquid carrier, a colloidal silica abrasive dispersed in the liquid carrier and having a permanent positive charge of at least 6 mV, and a polycationic amine compound in solution in the liquid carrier. A method for chemical mechanical polishing a substrate including a tungsten layer includes contacting the substrate with the above described polishing composition, moving the polishing composition relative to the substrate, and abrading the substrate to remove a portion of the tungsten from the substrate and thereby polish the substrate.
(FR)L'invention concerne une composition de polissage chimico-mécanique pour le polissage d'un substrat ayant une couche de tungstène, comprenant un support liquide à base d'eau, un abrasif à base de silice colloïdale dispersé dans le support liquide et ayant une charge positive permanente d'au moins 6 mV, et un composé amine polycationique en solution dans le support liquide. L'invention concerne également un procédé de polissage chimico-mécanique d'un substrat comprenant une couche de tungstène consistant à mettre en contact le substrat avec la composition de polissage décrite ci-dessus, à déplacer la composition de polissage par rapport au substrat, et à abraser le substrat pour retirer une partie du tungstène du substrat et polir ainsi le substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)