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1. (WO2015138281) ATTÉNUATION DE PERTURBATION DE LECTURE DANS UNE MÉMOIRE À POINT DE CROISEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/138281    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/019366
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 09.03.2015
CIB :
G11C 13/00 (2006.01), G11C 7/06 (2006.01), G11C 7/10 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [--/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
CHU, Daniel J. [US/US]; (US) (US only).
PANGAL, Kiran [IN/US]; (US) (US only).
FRANKLIN, Nathan R. [US/US]; (US) (US only).
DAMLE, Prashant S. [IN/US]; (US) (US only).
CHAOHONG, Hu [CN/US]; (US) (US only)
Inventeurs : CHU, Daniel J.; (US).
PANGAL, Kiran; (US).
FRANKLIN, Nathan R.; (US).
DAMLE, Prashant S.; (US).
CHAOHONG, Hu; (US)
Mandataire : PFLEGER, Edmund P.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/204,376 11.03.2014 US
Titre (EN) MITIGATING READ DISTURB IN A CROSS-POINT MEMORY
(FR) ATTÉNUATION DE PERTURBATION DE LECTURE DANS UNE MÉMOIRE À POINT DE CROISEMENT
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure relates to mitigating read disturb in a cross-point memory. An apparatus may include a memory controller configured to select a target memory cell for a memory access operation. The memory controller includes a sense module configured to determine whether a snap back event occurs during a sensing interval; and a write back module configured to write back a logic one to the memory cell if a snap back event is detected.
(FR)La présente invention porte sur l'atténuation de perturbation de lecture dans une mémoire à point de croisement. Un appareil peut comprendre un dispositif de commande de mémoire configuré pour sélectionner une cellule de mémoire cible pour une opération d'accès à la mémoire. Le dispositif de commande de mémoire comprend un module de détection configuré pour déterminer si un événement de retour en arrière se produit durant un intervalle de détection ; et un module d'écriture différée configuré pour écrire en différé un niveau un sur la cellule de mémoire si un événement de retour en arrière est détecté.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)