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1. (WO2015138119) DISPOSITIF SÉLECTEUR POUR MÉMOIRE À DEUX BORNES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/138119    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/017370
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 24.02.2015
CIB :
G11C 13/00 (2006.01)
Déposants : CROSSBAR, INC. [US/US]; 3200 Patrick Henry Drive, Suite 110 Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : JO, Sung Hyun; (US)
Mandataire : CLAPPER, Matthew; (US)
Données relatives à la priorité :
61/951,454 11.03.2014 US
62/021,660 07.07.2014 US
14/588,185 31.12.2014 US
Titre (EN) SELECTOR DEVICE FOR TWO-TERMINAL MEMORY
(FR) DISPOSITIF SÉLECTEUR POUR MÉMOIRE À DEUX BORNES
Abrégé : front page image
(EN)Providing for solid state memory having a non-linear current-voltage (I-V) response is disclosed herein. By way of example, the subject disclosure provides a selector device. The selector device can be formed in series with a non-volatile memory device via a monolithic fabrication process. Further, the selector device can provide a substantially non-linear I-V response suitable to mitigate leakage current for the non-volatile memory device. In various disclosed embodiments, the series combination of the selector device and the non-volatile memory device can serve as one of a set of memory cells in a 1-transistor, many-resistor resistive memory cell array.
(FR)La présente invention vise à proposer une mémoire à semi-conducteurs ayant une réponse de courant-tension non-linéaire (I-V). À titre d'exemple, la présente invention porte sur un dispositif sélecteur. Le dispositif sélecteur peut être formé en série avec un dispositif de mémoire non-volatile par l'intermédiaire d'un procédé de fabrication monolithique. En outre, le dispositif sélecteur peut fournir une réponse I-V sensiblement non-linéaire conçue pour atténuer un courant de fuite pour le dispositif de mémoire non volatile. Selon divers modes de réalisation, la combinaison en série du dispositif sélecteur et du dispositif de mémoire non volatile peut servir en tant que l'un d'un ensemble de cellules de mémoire dans un réseau de cellules de mémoire résistif à plusieurs résistances et à 1 transistor.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)