WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015138058) MÉMOIRE À LIGNE À RETARD À LOGIQUE INTÉGRÉE ET PIÉZO-ÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/138058    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/014324
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 03.02.2015
CIB :
G11C 21/02 (2006.01)
Déposants : CORNELL UNIVERSITY [US/US]; 395 Pine Tree Road, Suite 310 Ithaca, NY 14850 (US)
Inventeurs : LAL, Amit; (US).
KUO, Justin, C.; (US)
Mandataire : AI, Bing; (US)
Données relatives à la priorité :
61/935,310 03.02.2014 US
Titre (EN) PIEZOELECTRIC AND LOGIC INTEGRATED DELAY LINE MEMORY
(FR) MÉMOIRE À LIGNE À RETARD À LOGIQUE INTÉGRÉE ET PIÉZO-ÉLECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Delay line memory device, systems and methods are disclosed. In one aspect, a delay line memory device includes a substrate; an electronic unit disposed on the substrate and operable to receive, amplify, and/or synchronize data signals into a bit stream to be transmitted as acoustic pulses carrying data stored in the delay line memory device; a first and a second piezoelectric transducer disposed on the substrate and in communication with the electronic unit, in which the first piezoelectric transducer is operable to transmit the data signals to the acoustic pulses that carry the data through the bulk of the substrate, and the second piezoelectric transducer is operable to transduce the received acoustic pulses to intermediate electrical signals containing the data, which are transferred to the electronic unit via an electrical interconnect to cause refresh of the data in the delay line memory device.
(FR)L'invention concerne un dispositif de mémoire à ligne de retard, ainsi que des systèmes et des procédés associés. Selon un aspect de l'invention, ce dispositif de mémoire à ligne à retard comprend un substrat; une unité électronique disposée sur le substrat et permettant de recevoir, amplifier et/ou synchroniser des signaux de données dans un flux binaire à transmettre en tant qu'impulsions acoustiques transportant des données stockées dans le dispositif de mémoire à ligne à retard; un premier et un deuxième transducteur piézo-électrique disposés sur le substrat et en communication avec l'unité électronique, le premier transducteur piézoélectrique permettant de transmettre les signaux de données aux impulsions acoustiques qui transportent les données à travers la majeure partie du substrat, et le deuxième transducteur piézoélectrique permettant de convertir les impulsions acoustiques reçues en signaux électriques intermédiaires contenant les données, qui sont transférées à l'unité électronique par l'intermédiaire d'une interconnexion électrique pour provoquer un rafraîchissement des données dans le dispositif de mémoire à ligne à retard.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)