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1. (WO2015137960) CELLULE EPROM DOTÉE DE GRILLE FLOTTANTE MODIFIÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/137960    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/027114
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 14.03.2014
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 11445 Compaq Center Drive W. Houston, Texas 77070 (US)
Inventeurs : GE, Ning; (US).
CHIA, Leong Yap; (SG).
RANDO, Jose Jehrome; (AU)
Mandataire : BRUSH, Robert M.; Intellectual Property Administration 3404 E. Harmony Road Mail Stop 35 Fort Collins, Colorado 80528 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) EPROM CELL WITH MODIFIED FLOATING GATE
(FR) CELLULE EPROM DOTÉE DE GRILLE FLOTTANTE MODIFIÉE
Abrégé : front page image
(EN)An electronically programmable read-only memory (EPROM) cell includes a semiconductor substrate having source and drain regions; a floating gate, adjacent to the source and drain regions and separated from the semiconductor substrate by a first dielectric layer, the floating gate including: a polysilicon layer formed over the first dielectric layer; a first metal layer electrically connected to the polysilicon layer, where the surface area of the first metal layer is less than 1000 µm2; and a control gate comprising a second metal layer, capacitively coupled to the first metal layer through a second dielectric material disposed therebetween.
(FR)L'invention porte sur une cellule de mémoire morte programmable électroniquement (EPROM) qui comprend un substrat de semi-conducteur ayant des régions de source et de drain ; une grille flottante, adjacente aux régions de source et de drain et séparée du substrat de semi-conducteur par une première couche diélectrique, la grille flottante comprenant : une couche de polysilicium formée sur la première couche diélectrique ; une première couche métallique connectée électriquement à la couche de polysilicium, la zone de surface de la première couche métallique étant inférieure à 1000 µm2 ; et une grille de commande comprenant une seconde couche métallique, couplée de manière capacitive à la première couche métallique par l'intermédiaire d'un second matériau diélectrique disposé entre ces dernières.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)