WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015137611) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/137611    N° de la demande internationale :    PCT/KR2014/012594
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 19.12.2014
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : KOOKJE ELECTRIC KOREA CO., LTD. [KR/KR]; 46, 2gongdan 8-gil, Seobuk-gu Cheonan-si Chungcheongnam-do 331-200 (KR)
Inventeurs : SHIN, Dong Hwa; (KR).
KIM, Seul Ki; (KR).
KIM, Kwang Soo; (KR).
BANG, Hong Joo; (KR)
Mandataire : KWON, Hyuk-Soo; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2014-0028475 11.03.2014 KR
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(KO) 기판 처리 장치
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus of the present invention comprises: a process chamber having a lower chamber with an opened top and an upper chamber which closes the opened top of the lower chamber; a support member which is installed within the lower chamber with a plurality of co-planar substrates being placed thereon; exhaust members which are provided at the bottom of the upper chamber opposite to the support member and which are radially extended from the center of the upper chamber; fan-shaped reaction cells which are provided at the bottom of the upper chamber and which have reaction spaces partitioned by the exhaust members; and shower head units for supplying processing gas to the substrate, the shower head units being installed in the reaction cells, wherein the exhaust members comprise first side exhaust holes formed in the lateral sides thereof, and the reaction cells comprise second side exhaust holes formed in the arc portions of the fan shapes so that exhaust streams can be formed in all directions from the center of the reaction spaces.
(FR)La présente invention porte sur un appareil de traitement de substrat. L'appareil de traitement de substrat selon la présente invention comprend : une chambre de traitement ayant une chambre inférieure avec une partie supérieure ouverte et une chambre supérieure qui ferme la partie supérieure ouverte de la chambre inférieure; un élément de support qui est installé à l'intérieur de la chambre inférieure avec une pluralité de substrats coplanaires qui sont placés sur ce dernier; des éléments d'échappement qui sont disposés au fond de la chambre supérieure à l'opposé de l'élément de support et qui s'étendent radialement depuis le centre de la chambre supérieure; des cellules de réaction en forme de ventilateur qui sont disposées au fond de la chambre supérieure et qui ont des espaces de réaction séparés par les éléments d'échappement; et des unités de tête de projection pour fournir un gaz de traitement au substrat, les unités de tête de projection étant installées dans les cellules de réaction, dans lequel les éléments d'échappement comprennent des premiers trous d'échappement latéraux formés sur les côtés latéraux de ces derniers, et les cellules de réaction comprennent des seconds trous d'échappement latéraux formés dans les parties d'arc des formes de ventilateur de telle sorte que des flux d'échappement peuvent être formés dans toutes les directions à partir du centre des espaces de réaction.
(KO)본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 기판 처리 장치는 상부가 개방된 하부챔버 및 상기 하부챔버의 개방된 상부를 폐쇄하는 상부챔버를 갖는 공정 챔버; 상기 하부 챔버 내에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지는 지지부재; 상기 지지부재와 대향되는 상기 상부 챔버의 저면에 제공되며, 상기 상부 챔버의 중심으로부터 방사상으로 뻗은 배기부재들; 상기 상부 챔버의 저면에 제공되며, 상기 배기부재들에 의해 구획된 반응공간들을 갖는 부채꼴 모양의 반응셀들; 상기 반응셀에 설치되어 기판상으로 처리가스를 공급하는 샤워헤드 유닛을 포함하되; 상기 배기부재는 측면에 형성되는 제1사이드 배기홀들을 포함하고, 상기 반응셀은 부채꼴의 호(弧)부분에 형성되는 제2사이드 배기홀들을 포함하여, 상기 반응공간의 중심으로부터 사방으로 배기흐름이 형성될 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)