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1. (WO2015137584) RÉSONATEUR À MICROCANAUX ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/137584    N° de la demande internationale :    PCT/KR2014/009555
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 13.10.2014
CIB :
B81C 1/00 (2006.01), B81B 7/02 (2006.01), H01P 7/00 (2006.01)
Déposants : INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION SOGANG UNIVERSITY [KR/KR]; Suite 306, TaiHard Hall, Sogang University, 35, Baekbeomno, Mapo-gu, Seoul 121-742 (KR)
Inventeurs : LEE, Jung Chul; (KR).
KIM, Joo Hyun; (KR)
Mandataire : JI, Hyon-Jo; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2014-0027977 10.03.2014 KR
10-2014-0082564 02.07.2014 KR
Titre (EN) MICROCHANNEL RESONATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) RÉSONATEUR À MICROCANAUX ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 미세채널 공진기 및 그 제조방법
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a microchannel resonator capable of measuring the mass and characteristic of an object to be measured by using the principle where a resonance frequency varies according to the mass of moving matter, the method comprising the steps of: providing a silicon substrate; forming a cavity channel inside the silicon substrate; forming a hollow silicon oxide structure on the inner wall surface of the cavity channel by oxidizing the inner wall surface of the cavity channel; and partially removing the area surrounding the hollow silicon oxide structure such that the hollow silicon oxide structure can resonate with the silicon substrate.
(FR)Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un résonateur à microcanaux apte à mesurer la masse et les caractéristiques d'un objet à mesurer en utilisant le principe selon lequel une fréquence de résonance varie en fonction de la masse d'une matière mobile, ledit procédé comprenant les étapes consistant à : utiliser un substrat de silicium ; former un canal de cavité à l'intérieur du substrat de silicium ; former une structure creuse d'oxyde de silicium sur la surface de paroi interne du canal de cavité par oxydation de la surface de paroi interne du canal de cavité ; et éliminer partiellement la zone entourant la structure creuse d'oxyde de silicium de telle sorte que la structure creuse d'oxyde de silicium puisse résonner avec le substrat de silicium.
(KO)이동하는 물질의 질량에 따라 공진 주파수가 변화하는 원리를 이용하여 목적물의 질량 및 특성을 측정할 수 있는 미세채널 공진기 제조방법은, 실리콘기판을 제공하는 단계, 실리콘기판의 내부에 공동 채널(cavity channel)을 형성하는 단계, 공동 채널의 내부 벽면을 산화시켜 공동 채널의 내부 벽면에 중공형 산화실리콘 구조체를 형성하는 단계, 및 중공형 산화실리콘 구조체가 실리콘기판에 대해 공진 운동 가능하도록 중공형 산화실리콘 구조체의 주변을 부분적으로 제거하는 단계를 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)