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1. (WO2015137486) COMPOSÉ, RÉSINE, MATÉRIAU DE FORMATION DE FILM DE COUCHE DE BASE POUR LITHOGRAPHIE, FILM DE COUCHE DE BASE POUR LITHOGRAPHIE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, ET PROCÉDÉ POUR COMPOSÉ OU RÉSINE DE RAFFINAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/137486    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/057471
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 13.03.2015
CIB :
C07C 39/15 (2006.01), C07C 37/72 (2006.01), C08G 8/20 (2006.01), G03F 7/11 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324 (JP)
Inventeurs : MAKINOSHIMA, Takashi; (JP).
ECHIGO, Masatoshi; (JP)
Mandataire : INABA, Yoshiyuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-050768 13.03.2014 JP
Titre (EN) COMPOUND, RESIN, BASE LAYER FILM-FORMING MATERIAL FOR LITHOGRAPHY, BASE LAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, PATTERN-FORMING METHOD, AND METHOD FOR REFINING COMPOUND OR RESIN
(FR) COMPOSÉ, RÉSINE, MATÉRIAU DE FORMATION DE FILM DE COUCHE DE BASE POUR LITHOGRAPHIE, FILM DE COUCHE DE BASE POUR LITHOGRAPHIE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, ET PROCÉDÉ POUR COMPOSÉ OU RÉSINE DE RAFFINAGE
(JA) 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜、パターン形成方法、及び化合物又は樹脂の精製方法
Abrégé : front page image
(EN) This compound is represented by a specific formula. As a result of having the structure associated with the specific formula, this compound can be applied to wet processes, and has outstanding heat resistance and resistance to etching. In addition, as this compound has a specific structure, the compound has high heat resistance, a relatively high carbon concentration, a relatively low oxygen concentration, and high solubility in a solvent. As a consequence, by using this compound, deterioration in the film during high-temperature baking is minimized, and it is possible to form a base layer film with outstanding resistance to etching in the form of oxygen plasma etching and the like. The compound also has outstanding adhesion to the resist layer, making it possible to form an excellent resist pattern.
(FR) La présente invention concerne un composé représenté par une formule spécifique. La structure associée à la formule spécifique permet à ce composé d'être appliqué à des procédés humides, et présente une remarquable résistance thermique et résistance à la gravure. De plus, étant donné que ce composé présente une structure spécifique, le composé présente une résistance élevée à la chaleur, une concentration relativement élevée en carbone, une concentration relativement faible en oxygène et une solubilité élevée dans un solvant. En conséquence, grâce à l'utilisation de ce composé, la détérioration dans le film pendant une cuisson à haute température est réduite au minimum, et il est possible de former un film de couche de base ayant une résistance remarquable à la gravure sous la forme d'une gravure au plasma d'oxygène et similaire. Le composé présente également une remarquable adhérence à la couche de réserve, ce qui permet de former un excellent motif de réserve.
(JA) 本発明に係る化合物は、特定の式で表される。上記特定の式に係る構造を有するため、本発明に係る化合物は、湿式プロセスが適用可能であり、耐熱性及びエッチング耐性に優れる。また、本本発明に係る化合物は特定の構造を有するため、耐熱性が高く、炭素濃度が比較的に高く、酸素濃度が比較的に低く、溶媒溶解性も高い。そのため、本本発明に係る化合物を用いることで、高温ベーク時の膜の劣化が抑制され、酸素プラズマエッチング等に対するエッチング耐性にも優れた下層膜を形成することができる。さらには、レジスト層との密着性にも優れるので、優れたレジストパターンを形成することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)