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1. (WO2015137485) COMPOSITION DE RÉSERVE ET PROCÉDÉS DE FORMATION D'UN MOTIF DE RÉSERVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/137485    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/057470
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 13.03.2015
CIB :
G03F 7/038 (2006.01), C07C 39/15 (2006.01), G03F 7/004 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324 (JP)
Inventeurs : SATO, Takashi; (JP).
ECHIGO, Masatoshi; (JP)
Mandataire : INABA, Yoshiyuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-050767 13.03.2014 JP
Titre (EN) RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
(FR) COMPOSITION DE RÉSERVE ET PROCÉDÉS DE FORMATION D'UN MOTIF DE RÉSERVE
(JA) レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
Abrégé : front page image
(EN)This resist composition contains a compound that is represented by a specific formula. The compound has high heat resistance because of a skeleton thereof having high aromaticity and is able to be used under high-temperature baking conditions in spite of the low molecular weight thereof. Due to the above-described configuration, this resist composition is capable of providing a good resist pattern that has excellent heat resistance, high solubility in a safe solvent, and high sensitivity. Namely, this resist composition is useful as an acid-amplified non-polymer resist material.
(FR)L'invention porte sur une composition de réserve qui contient un composé qui est représenté par une formule spécifique. Le composé a une résistance thermique élevée en raison d'un squelette de ce dernier ayant une aromaticité élevée et est apte à être utilisé dans des conditions de cuisson à haute température en dépit du faible poids moléculaire de ce dernier. En raison de la configuration décrite ci-dessus, cette composition de réserve est apte à fournir un bon motif de réserve qui a une excellente résistance thermique, une solubilité élevée dans un solvant sans danger et une sensibilité élevée. C'est-à-dire, cette composition de réserve est utile en tant que matériau de réserve non-polymère amplifié par acide.
(JA) 本発明に係るレジスト組成物は、特定の式で表される化合物を含む。上記化合物は、低分子量ながらも、その高芳香族性骨格により高い耐熱性を有し、高温ベーク条件でも使用可能である。上記のように構成されているため、本発明に係るレジスト組成物は、耐熱性に優れ、安全溶媒に対する溶解性が高く、高感度で、かつ、良好なレジストパターン形状を付与できる。すなわち、本発明に係るレジスト組成物は、酸増幅型非高分子系レジスト材料として有用である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)