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1. (WO2015137373) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/137373    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/057093
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 11.03.2015
CIB :
H01S 5/343 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/207 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01)
Déposants : FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008322 (JP)
Inventeurs : IWAMI, Masayuki; (JP).
ISHII, Hirotatsu; (JP).
IWAI, Norihiro; (JP).
MATSUDA, Takeyoshi; (JP).
KASUKAWA, Akihiko; (JP).
ISHIKAWA, Takuya; (JP).
KAWAKITA, Yasumasa; (JP).
KAJI, Eisaku; (JP)
Mandataire : SAKAI, Hiroaki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-047339 11.03.2014 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)This semiconductor device is provided with a semiconductor layer comprising a group III-V crystalline semiconductor with As as the primary component, and a group V element other than As is introduced with a concentration of 0.02-5% at the group V site of the group III-V crystalline semiconductor in the semiconductor layer. Preferably, the group V element other than As is N, P or Sb, or a combination of these. Thereby, a semiconductor device is provided which keeps defects from occurring in the bulk crystalline semiconductor and which has less variation of characteristics.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui est pourvu d'une couche semi-conductrice comprenant un semi-conducteur cristallin de groupe III-V dont le composant principal est As, et un élément de groupe V autre que As étant introduit avec une concentration de 0,02 à 5 % au niveau du site du groupe V du semi-conducteur cristallin de groupe III-V dans la couche semi-conductrice. De préférence, l'élément de groupe V autre que As est N, P ou Sb, ou une combinaison de ceux-ci. Ainsi, l'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui empêche que des défauts ne se produisent dans le semi-conducteur cristallin non épitaxié et qui présente moins de variation des caractéristiques.
(JA) Asを主成分とするIII-V族半導体結晶からなる半導体層を備えた半導体装置であって、前記半導体層におけるIII-V族半導体結晶のV族サイトに、前記As以外のV族元素が濃度0.02~5%で導入されている半導体装置である。好ましくは、前記As以外のV族元素は、N、P、Sbの何れか一つまたはこれらの組み合わせである。これにより、半導体結晶のバルク内における欠陥発生を抑制し、特性の変動の少ない半導体装置を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)