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1. (WO2015137340) CREUSET ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SAPHIR MONOCRISTALLIN L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/137340    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/057016
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 10.03.2015
CIB :
F27B 14/10 (2006.01), B22F 3/24 (2006.01), C22C 27/04 (2006.01), C30B 11/00 (2006.01), C30B 29/20 (2006.01)
Déposants : A.L.M.T. CORP. [JP/JP]; 11-11, Shiba 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050014 (JP)
Inventeurs : TAKEUCHI, Yasuyuki; (JP).
FUKAYA, Yoshitake; (JP).
KATOH, Masahiro; (JP).
OKAMOTO, Kenichi; (JP)
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-048980 12.03.2014 JP
2014-048981 12.03.2014 JP
Titre (EN) CRUCIBLE AND SINGLE CRYSTAL SAPPHIRE PRODUCTION METHOD USING SAME
(FR) CREUSET ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SAPHIR MONOCRISTALLIN L'UTILISANT
(JA) 坩堝およびそれを用いた単結晶サファイアの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are: a crucible that is capable of preventing leakage of a molten liquid; and a single crystal sapphire production method that uses the crucible. The crucible (1) comprises 40 mass% or more of molybdenum. The total content of C, N, and O is 100 ppm by mass or less. The hardness at an angle R section (16) at the boundary between a bottom surface (15) and a side surface (13) is 150-310 HV. The C content is 30 ppm by mass or less, the N content is 20 ppm by mass or less, and the O content is 50 ppm by mass or less.
(FR)L'invention concerne : un creuset qui est capable d'empêcher la fuite d'un liquide fondu; et un procédé de production de saphir monocristallin qui utilise le creuset. Le creuset (1) comprend 40% en masse ou plus de molybdène. La teneur totale en C, N et O est de 100 ppm en masse ou moins. La dureté au niveau d'une section d'angle R (16) au niveau de la limite entre une surface inférieure (15) et une surface latérale (13) est de 150 à 310 HV. La teneur en C est de 30 ppm en masse ou moins, la teneur en N est de 20 ppm en masse ou moins et la teneur en O est de 50 ppm en masse ou moins.
(JA) 融液の漏れを防止することが可能な坩堝およびそれを用いた単結晶サファイアの製造方法を提供する。坩堝(1)は、モリブデンを40質量%以上含む坩堝であって、C、NおよびOの総含有率が100質量ppm以下であり底面(15)と側面(13)の境界の角R部(16)での硬さが150HV以上310HV以下であり、Cの含有率が30質量ppm以下であり、Nの含有率が20質量ppm以下であり、Oの含有率が50質量ppm以下である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)