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1. (WO2015137337) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/137337    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/057009
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 10.03.2015
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : NISHIKI Hirohiko; .
SASAKURA Akira; .
OKABE Tohru;
Mandataire : OKUDA Seiji; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-047608 11.03.2014 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This semiconductor device is provided with a thin film transistor (100). The thin film transistor (100) is provided with: a substrate (1); a gate electrode (3) that is provided on the substrate (1); a gate insulating layer (5) that is formed on the gate electrode (3); an island-like oxide semiconductor layer (7) that is formed on the gate insulating layer (5); a protective layer (9) that is provided so as to cover the entire of an upper surface (7u) and a lateral surface (7e) of the oxide semiconductor layer (7) and has a single opening (9p) from which only a part of the upper surface (7u) of the oxide semiconductor layer (7) is exposed; and a source electrode (11) and a drain electrode (13) that are respectively in contact with the oxide semiconductor layer (7) within the single opening (9p).
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs qui comporte un transistor en couches minces (100). Le transistor en couches minces (100) comporte : un substrat (1); une électrode de grille (3) qui est disposée sur le substrat (1); une couche d'isolation de grille (5) qui est formée sur l'électrode de grille (3); une couche semi-conductrice d'oxyde en forme d'îlot (7) qui est formée sur la couche d'isolation de grille (5); une couche de protection (9) qui est disposée de façon à recouvrir la totalité d'une surface supérieure (7u) et d'une surface latérale (7e) de la couche semi-conductrice d'oxyde (7) et a une ouverture unique (9p) à partir de laquelle seulement une partie de la surface supérieure (7u) de la couche semi-conductrice d'oxyde (7) est présentée; et une électrode de source (11) et une électrode de drain (13) qui sont respectivement en contact avec la couche semi-conductrice d'oxyde (7) à l'intérieur de l'ouverture unique (9p).
(JA) 半導体装置は、薄膜トランジスタ(100)を備え、薄膜トランジスタ(100)は、基板(1)と、基板(1)上に設けられたゲート電極(3)と、ゲート電極(3)上に形成されたゲート絶縁層(5)と、ゲート絶縁層(5)上に形成された島状の酸化物半導体層(7)と、酸化物半導体層(7)の上面(7u)および側面(7e)全体を覆うように設けられ、かつ、酸化物半導体層(7)の上面(7u)の一部のみを露出する単一の開口部(9p)を有する保護層(9)と、それぞれが単一の開口部(9p)内で酸化物半導体層(7)と接するソース電極(11)およびドレイン電極(13)とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)