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1. (WO2015137266) PROCÉDÉ PERMETTANT LA PRODUCTION DE CRISTAL DE NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/137266    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/056775
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 09.03.2015
CIB :
C30B 19/04 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01)
Déposants : NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP)
Inventeurs : IMAI Katsuhiro; (JP).
IWAI Makoto; (JP).
SAKAI Masahiro; (JP).
SHIMODAIRA Takanao; (JP).
HIGASHIHARA Shuhei; (JP).
HIRAO Takayuki; (JP)
Mandataire : HOSODA Masutoshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-046407 10.03.2014 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING NITRIDE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT LA PRODUCTION DE CRISTAL DE NITRURE
(JA) 窒化物結晶の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Crucibles (6) in each of which a flux and a raw material are contained, reaction vessels (5A to 5D) in which the crucibles (6) are respectively housed, an intermediate vessel (3) in which the reaction vessels are housed, and a pressure vessel (1) in which the intermediate vessel is housed and into which an atmosphere that contains at least a gas containing nitrogen atoms is filled are used. When the flux and the raw material are melted while heating to grow a nitride crystal, steam (9) of an organic compound is diffused in a space (3a) that exists outside the reaction vessels and inside the intermediate vessel.
(FR)Selon l'invention, des creusets (6) contenant chacun un fondant et une matière première, des réacteurs (5A à 5D) dans lesquels les creusets (6) sont respectivement logés, une enceinte intermédiaire (3) dans laquelle les réacteurs sont logés et une enceinte sous pression (1) dans laquelle l'enceinte intermédiaire est logée et remplie d'une atmosphère qui contient au moins un gaz contenant des atomes d'azote sont utilisés. Lorsque le fondant et la matière première sont amenés à fondre avec chauffage simultané pour faire croître un cristal de nitrure, de la vapeur (9) d'un composé organique est diffusée dans un espace (3a) qui se situe à l'extérieur des réacteurs et à l'intérieur de l'enceinte intermédiaire.
(JA)フラックスおよび原料を収容するためのルツボ6、ルツボ6を収容する反応容器5A~5D、反応容器を収容する中間容器3、および中間容器を収容し、少なくとも窒素原子含有ガスを含む雰囲気を充填するための圧力容器1を使用する。フラックスおよび原料を加熱下に溶融させて窒化物結晶を成長させる際に、反応容器外および中間容器内の空間3aに有機化合物の蒸気9を拡散させる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)