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1. (WO2015137256) TRANSISTOR UTILISANT UNE PIÉZORÉSISTANCE COMME CANAL, ET CIRCUIT ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/137256    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/056694
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 06.03.2015
CIB :
H01L 45/00 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01), G11C 13/00 (2006.01), H03K 3/356 (2006.01)
Déposants : JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 1-8, Hon-cho 4-chome, Kawaguchi-shi, Saitama 3320012 (JP)
Inventeurs : SHUTO Yusuke; (JP).
KUROSAWA Minoru; (JP).
FUNAKUBO Hiroshi; (JP).
YAMAMOTO Shuichiro; (JP).
SUGAHARA Satoshi; (JP)
Mandataire : KATAYAMA Shuhei; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-052529 14.03.2014 JP
Titre (EN) TRANSISTOR USING PIEZORESISTOR AS CHANNEL, AND ELECTRONIC CIRCUIT
(FR) TRANSISTOR UTILISANT UNE PIÉZORÉSISTANCE COMME CANAL, ET CIRCUIT ÉLECTRONIQUE
(JA) ピエゾ抵抗体をチャネルに用いたトランジスタおよび電子回路
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a transistor equipped with: a piezoresistor (10) through which a carrier is conducted; a source (14) which injects the carrier into the piezoresistor; a drain (16) which receives the carrier from the piezoresistor; a piezoelectric body (12) which is provided so as to surround the piezoresistor, and which applies pressure to the piezoresistor; and a gate (18) which applies voltage to the piezoelectric body so that the piezoelectric body applies pressure to the piezoresistor.
(FR)La présente invention concerne un transistor équipé : d'une piézorésistance (10) à travers laquelle est dirigée une porteuse; d'une source (14) qui injecte la porteuse dans la piézorésistance; d'un drain (16) qui reçoit la porteuse en provenance de la piézorésistance; d'un corps piézoélectrique (12) qui est prévu de sorte à entourer la piézorésistance, et qui applique une pression sur la piézorésistance; et d'une grille (18) qui applique une tension au corps piézoélectrique de sorte que le corps piézoélectrique applique une pression sur la piézorésistance.
(JA) キャリアが伝導するピエゾ抵抗体(10)と,前記ピエゾ抵抗体に前記キャリアを注入するソース(14)と,前記ピエゾ抵抗体から前記キャリアを受けるドレイン(16)と,前記ピエゾ抵抗体を囲むように設けられ,前記ピエゾ抵抗体に圧力を加える圧電体(12)と,前記圧電体が前記ピエゾ抵抗体に圧力を加えるように前記圧電体に電圧を印加するゲート(18)を具備するトランジスタを提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)