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1. (WO2015137233) TAMPON À POLIR ET MÉTHODE DE PRODUCTION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/137233    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/056517
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 05.03.2015
CIB :
B24B 37/24 (2012.01), B24B 37/26 (2012.01), C08G 18/10 (2006.01), C08G 18/83 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), C08G 101/00 (2006.01)
Déposants : ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC. [US/US]; 451 Bellevue Road, Newark, Delaware 19713 (US)
Inventeurs : SHIMIZU, Shinji; (JP)
Mandataire : TSUKUNI & ASSOCIATES; Kojimachi Business Center, 5-3-1, Kojimachi, Chiyoda-ku, Tokyo 1020083 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-051954 14.03.2014 JP
Titre (EN) POLISHING PAD AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) TAMPON À POLIR ET MÉTHODE DE PRODUCTION DE CELUI-CI
(JA) 研磨パッド及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide: a polishing pad having a high polishing rate and excellent planarizing properties; and a method for producing the polishing pad. A polishing pad having, formed therein, a polishing layer comprising a polyurethane resin foam, said polishing pad being characterized in that a polyurethane resin, which is a material used for forming the polyurethane resin foam, has an alkoxysilyl group introduced into a side chain thereof, wherein the introduction of the alkoxysilyl group is achieved by the reaction of a urethane or urea group in an isocyanate-terminal prepolymer with an isocyanate group in an alkoxysilyl-group-containing isocyanate represented by general formula (1). (In the formula, X represents OR1 or OH; R1's independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms; and R2 represents an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms.)
(FR)La présente invention concerne un tampon à polir ayant un taux de polissage élevé et d'excellentes propriétés de planarisation; et une méthode de production du tampon à polir. L'invention concerne un tampon à polir ayant, formé dedans, une couche de polissage comprenant une mousse de résine de polyuréthane, ledit tampon à polir étant caractérisé par le fait qu'une résine de polyuréthane, qui est un matériau utilisé pour former la mousse de résine de polyuréthane, a un groupe alkoxysilyle introduit dans une de ses chaînes latérales, l'introduction du groupe alkoxysilyle étant effectuée par la réaction d'un groupe uréthane ou urée dans un prépolymère terminé par un isocyanate avec un groupe isocyanate dans un isocyanate contenant un groupe alkoxysilyle représenté par la formule générale (1). (Dans la formule, X représente OR1 ou OH; les R1 représentent indépendamment un groupe alkyle ayant 1 à 4 atomes de carbone; et R2 représente un groupe alkylène ayant 1 à 6 atomes de carbone.)
(JA) 本発明は、研磨速度が大きく、かつ平坦化特性に優れる研磨パッド及びその製造方法を提供することを目的とする。ポリウレタン樹脂発泡体からなる研磨層を有する研磨パッドにおいて、前記ポリウレタン樹脂発泡体の形成材料であるポリウレタン樹脂は、イソシアネート末端プレポリマーのウレタン基又は尿素基と下記一般式(1)で表されるアルコキシシリル基含有イソシアネートのイソシアネート基との反応により、側鎖にアルコキシシリル基が導入されていることを特徴とする研磨パッド。 (式中、XはOR又はOHであり、Rはそれぞれ独立に炭素数1~4のアルキル基であり、Rは炭素数1~6のアルキレン基である。)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)