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1. (WO2015137199) DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/137199    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/056241
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 03.03.2015
CIB :
H01S 5/14 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP)
Inventeurs : ZHENG Yujin; (JP).
KAN Hirofumi; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-048593 12.03.2014 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体レーザ装置
Abrégé : front page image
(EN)This semiconductor laser device is provided with: a semiconductor laser array in which active layers which emit laser light with a slow-axis divergence angle of θS (>4°) are formed arranged in parallel along the slow axis direction; a first optical element which reflects, on a first reflecting surface, first partial light advancing in one direction on the slow axis and feeds this back to the active layer; and a second optical element which reflects, on a second reflecting surface, a portion of the mode light of second partial light advancing in the other direction on the slow axis and feeds this back to the active layer. The first optical element is arranged such that relative to a plane perpendicular to the optical axis of the active layers, the first reflecting surface forms an angle of 2° or greater and less than (θS/2), and the second optical element is arranged such that relative to a plane perpendicular to the optical axis of the active layers, the second reflecting surface forms an angle of greater than (-θS/2) and less than or equal to -2°.
(FR)L'invention porte sur un dispositif laser à semi-conducteurs qui comporte : un réseau laser à semi-conducteurs dans lequel des couches actives qui émettent une lumière laser avec un angle de divergence à axe lent θS (> 4°) sont formées disposées en parallèle le long de la direction d'axe lent ; un premier élément optique qui réfléchit, sur une première surface réfléchissante, une première lumière partielle avançant dans une direction sur l'axe lent et transmet cette dernière en retour à la couche active ; et un second élément optique qui réfléchit, sur une seconde surface réfléchissante, une partie de la lumière de mode d'une seconde lumière partielle avançant dans l'autre direction sur l'axe lent et transmet cette dernière en retour à la couche active. Le premier élément optique est agencé de telle sorte que, par rapport à un plan perpendiculaire à l'axe optique des couches actives, la première surface réfléchissante forme un angle de 2° ou plus et inférieur à (θS/2), et le second élément optique est agencé de telle sorte que, par rapport à un plan perpendiculaire à l'axe optique des couches actives, la seconde surface réfléchissante forme un angle supérieur à (-θS/2) et inférieur ou égal à -2 °.
(JA) 半導体レーザ装置は、スロー軸方向の拡がり角がθ(>4°)であるレーザ光を出射する活性層がスロー軸方向に沿って並設されてなる半導体レーザアレイと、スロー軸方向の一方の側に進行する第1の部分光を、第1の反射面で反射し活性層に帰還させる第1の光学素子と、スロー軸方向の他方の側に進行する第2の部分光の複数のモード光のうちの一部のモード光を、第2の反射面で反射し活性層に帰還させる第2の光学素子と、を備え、第1の光学素子は、活性層の光軸方向と直交する面に対して第1の反射面が2°以上且つ(θ/2)未満の角度をなすように配置され、第2の光学素子は、活性層の光軸方向と直交する面に対して第2の反射面が(-θ/2)よりも大きく且つ-2°以下の角度をなすように配置されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)