WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015137152) CELLULE SOLAIRE À HÉTÉROJONCTION ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/137152    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/055772
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 27.02.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.11.2015    
CIB :
H01L 31/0747 (2012.01)
Déposants : JAPAN ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 1-1,Asahidai,Nomi-shi, Ishikawa 9231292 (JP)
Inventeurs : MATSUMURA Hideki; (JP).
OHDAIRA Keisuke; (JP)
Mandataire : KIMORI Yuhei; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-051160 14.03.2014 JP
Titre (EN) HETEROJUNCTION SOLAR CELL AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE À HÉTÉROJONCTION ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) ヘテロ接合太陽電池とその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a heterojunction solar cell of a structure in which carrier recombination on the upper surface of the crystalline silicon can be dramatically inhibited and which attains a heightened efficiency. [Solution] This heterojunction solar cell is a solar cell in which a thin film of intrinsic amorphous silicon has been bonded by heterojunction to a crystalline silicon substrate, wherein the crystalline silicon substrate has a doped layer formed by doping an extreme surface layer having a depth of 10 nanometers or less with phosphorus or boron. According to an electron photomicrograph obtained when a sample (900) was examined with a transmission electron microscope, the sample (900) having been produced by depositing a film of intrinsic amorphous silicon (902) right on an n-type crystal silicon substrate (901) by a catalytic-CVD method, the thickness of an interface transition layer (903) between the n-type crystal silicon (901) and the amorphous silicon (902) is 0.6 nanometers or less.
(FR)L'invention aborde le problème de produire une cellule solaire à hétérojonction ayant une structure dans laquelle la recombinaison des porteurs sur la surface supérieure du silicium cristallin peut être considérablement inhibée et qui atteint une efficacité accrue. La présente invention réalise à cet effet une cellule solaire à hétérojonction qui est une cellule solaire dans laquelle un film mince en silicium amorphe intrinsèque a été lié par hétérojonction à un substrat en silicium cristallin. Le substrat en silicium cristallin possède une couche dopée formée par dopage d'une couche de surface extrême ayant une profondeur de 10 nanomètres ou moins avec du phosphore ou du bore. Selon une photomicrographie électronique obtenue lorsqu'un échantillon (900) a été examiné avec un microscope électronique à transmission, l'échantillon (900) ayant été produit en déposant un film en silicium amorphe intrinsèque (902) directement sur un substrat en silicium cristallin de type n (901) par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur catalytique, l'épaisseur d'une couche de transition d'interface (903) entre le silicium cristallin de type n (901) et le silicium amorphe (902) est inférieure ou égale à 0,6 nanomètres.
(JA)【課題】 結晶系シリコンに対して、キャリヤの上面再結合を劇的に抑制でき、効率を高めた構造のヘテロ接合太陽電池を提供する。 【解決手段】 本発明のヘテロ接合太陽電池は、真性アモルファス・シリコン薄膜が結晶系シリコン基板にヘテロ接合している太陽電池であって、前記結晶系シリコン基板は、リンまたはボロンが深さ10ナノメートル以内の極表層にドープされたドープ層が形成されている。n型結晶シリコン基板901の直ぐ上に真性アモルファス・シリコン膜902をCat-CVD法で堆積させて作製した場合の試料900を、透過型電子顕微鏡で観察した際の電子顕微鏡像によれば、n型結晶シリコン901とアモルファス・シリコン902との界面遷移層903の厚みは0.6ナノメートル以下である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)